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本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法，采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法，建立了完整的模拟电路SET表征方法，采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性，而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
中国科学院微电子研究所专利：一种抗单粒子翻转的Latch型灵敏放大器
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
2022/11/18
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
针对空间环境中FPGA局部功能运行的重要运算模块受到单粒子效应的威胁，提出了Berger/余数联合结果校验法的加固设计方法。通过分析指出,由于Berger结果校验所需的进位链在FPGA中不易获取，加法、减法、乘法运算的正确性利用余数校验法检测，其它运算结构利用Berger结果校验法检测。给出了联合结果校验法的思路和逻辑实现方法，并分析了该方法对FPGA资源和速度性能的影响。单粒子故障仿真注入实验结...