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中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展(图)
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/22
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命,在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力,其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础,而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
视频:上海交通大学电气工程系电气与电子测量技术第四章 集成运放与调理电路分析c。
视频:上海交通大学电气工程系电气与电子测量技术第四章 集成运放与调理电路分析b。
视频:上海交通大学电气工程系电气与电子测量技术第四章 集成运放与调理电路分析a。
电声成像模拟测量装置方案设计及优选
电声成像探测器模拟测量装置 模糊综合评判
2013/7/21
针对测井仪器在使用和推广中,缺乏系统的、理论性应用基础方面的室内研究手段而难形成商业化规模,制约了其发展的问题,根据微电阻率成像和超声成像的工作原理及实际运动测量的模式,并结合实验室用的特点,设计了一套井周电声成像探测器模拟测量装置,该装置实现了x、y、z及d(圆周)4个方向的运动,在x、d方向设计了多种方案.利用模糊评判的原理,对d和x方向的多种方案进行了综合评价,建立了隶属函数及权重,通过专家...
差分SPV法测量a-Si:H材料少子扩散长度的数学模型
a-Si:H材料 差分SPV测量 扩散长度
2009/9/23
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
肖特基二极管整流的计算与测量
肖特基二极管 接收整流天线 微波输电
2009/2/6
提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格-库塔法编制了计算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,输入功率从零开始增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;输入功率一定时,负载从零开始增大,整流效率先增大后减小,对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;当输入功率和负载都相同时,降低工作频率,整流效率上升。型号为2DV10B的...
科学家发明无干扰测量纳米材料张力新方法
无干扰测量 纳米材料
2009/1/14
德国和西班牙两国科研小组合作,利用红外线纳米近场显微镜发明了一种无干扰检测纳米半导体材料张力的新方法,这一新方法为科学家研究半导体材料的物理性能,以及测量纳米级半导体元器件的性能提供了新的可能。
用简并双模腔测量微波霍耳迁移率
简并双模腔 微波 霍耳迁移率
2008/9/23
本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立了腔的散射参量与样品的导电张量之间关系.随之霍耳迁移率以腔的传输系数、负载和未负载反射系数来表示.无样品时两模的谐振频率及未负载Q的差别也加以了考虑.实验结果表明与直流参数的一致性,因而...
容栅式位移测量专用集成电路开发
位移测量 集成电路
2008/9/5
“容栅式位移测量专用集成电路”是为配套设计的容栅传感器所专用的检测电路。相对于其它栅式位置敏感器件来说,容栅具有结构紧凑体积小、造价低、易于屏蔽、环境适应性强和能耗低的特点。由于是靠改变工作面积来改变电容量的,因此容栅传感器的线性也很好。容栅位移测量融微细工程和电子技术为一体,为机、电、仪一体化的代表产品,容栅传感器及其检测电路组成的位移测量组件在制造业中有着广泛的应用,可组合成数显卡尺、数显千分...
集成电路(IC)非接触式全场测量系统
光扫描三角测量 集成电路测量系统
2008/8/19
集成电路(IC)是当今世界科技、军事、工业、民用等领域最普遍应用和生产的器件,由于芯片质量的重要性,必须在生产线进行逐一检测,因此对测量系统有很高的要求。国外广泛使用的技术是光扫描三角测量技术,如美国的RVSI公司以及VIEWENGINEERING公司等,都是采用这一技术。