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搜索结果: 1-15 共查到半导体技术 测量相关记录17条 . 查询时间(0.233 秒)
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命,在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力,其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础,而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法,主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量,辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值,并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值,最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除,从而大幅提...
中国科学院国家纳米科学中心专利:一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法
题目:国产通用电子测试测量仪器的发展现状及在集成电路测试领域的发展和机遇。时间:2022年11月3日(周四)14:30-16:30。地点:腾讯会议。主讲人:赵亚锋。
针对测井仪器在使用和推广中,缺乏系统的、理论性应用基础方面的室内研究手段而难形成商业化规模,制约了其发展的问题,根据微电阻率成像和超声成像的工作原理及实际运动测量的模式,并结合实验室用的特点,设计了一套井周电声成像探测器模拟测量装置,该装置实现了x、y、z及d(圆周)4个方向的运动,在x、d方向设计了多种方案.利用模糊评判的原理,对d和x方向的多种方案进行了综合评价,建立了隶属函数及权重,通过专家...
用差分SPV法测量a-Si:H材料的少子扩散长度,可以消除被测样品背面结的影响.本文讨论了这种测量方法的数学模型,导出了测量公式,分析了影响测量结果的各种因素.
提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格-库塔法编制了计算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,输入功率从零开始增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;输入功率一定时,负载从零开始增大,整流效率先增大后减小,对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;当输入功率和负载都相同时,降低工作频率,整流效率上升。型号为2DV10B的...
德国和西班牙两国科研小组合作,利用红外线纳米近场显微镜发明了一种无干扰检测纳米半导体材料张力的新方法,这一新方法为科学家研究半导体材料的物理性能,以及测量纳米级半导体元器件的性能提供了新的可能。
本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立了腔的散射参量与样品的导电张量之间关系.随之霍耳迁移率以腔的传输系数、负载和未负载反射系数来表示.无样品时两模的谐振频率及未负载Q的差别也加以了考虑.实验结果表明与直流参数的一致性,因而...
“容栅式位移测量专用集成电路”是为配套设计的容栅传感器所专用的检测电路。相对于其它栅式位置敏感器件来说,容栅具有结构紧凑体积小、造价低、易于屏蔽、环境适应性强和能耗低的特点。由于是靠改变工作面积来改变电容量的,因此容栅传感器的线性也很好。容栅位移测量融微细工程和电子技术为一体,为机、电、仪一体化的代表产品,容栅传感器及其检测电路组成的位移测量组件在制造业中有着广泛的应用,可组合成数显卡尺、数显千分...
集成电路(IC)是当今世界科技、军事、工业、民用等领域最普遍应用和生产的器件,由于芯片质量的重要性,必须在生产线进行逐一检测,因此对测量系统有很高的要求。国外广泛使用的技术是光扫描三角测量技术,如美国的RVSI公司以及VIEWENGINEERING公司等,都是采用这一技术。

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