搜索结果: 1-8 共查到“光学工程 薄膜晶体”相关记录8条 . 查询时间(0.128 秒)
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
紫外光电探测器在国防领域、电网安全监测、医学成像、海上搜救、环境与生化检测、森林火灾告警等诸多领域有重要应用，是世界各国竞相研发的焦点。近年来，中国科学院宁波材料技术与工程研究所曹鸿涛研究团队通过在耗尽型的SnOx/IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰p型PEDOT:PSS薄膜，实现了两端和三端器件的耦合，构建了高性能可见盲紫外光电探测TFTs。由于充分利用了两端（垂直方向内建电场，分离电荷）和三端器...
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题
华南理工大学 2017年 硕士学位 研究生 入学考试 薄膜晶体 液晶显示技术 TFT—LCD技术 试题
2017/11/21
华南理工大学2017年攻读硕士学位研究生入学考试薄膜晶体液晶显示技术（TFT—LCD技术）试题。
高性能顶栅结构有机薄膜晶体管
有机薄膜晶体管 顶栅结构 弱外延 氧钒酞菁
2012/1/16
采用六联苯(p-6P)和氧钒酞菁(VOPc)作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管(OTFT)。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构(top-gate)和底栅结构(bottom-gate)两种器件构型,发现两种不同结构的OTFT器件特性存在较大的差异,top-gate OTFT的迁移率比bottom-gate OTFT 高很多。在顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到1...
多晶硅薄膜晶体管的栅电容模型
多晶硅薄膜晶体管 栅漏电容 栅源电容 模型
2011/4/6
多晶硅薄膜晶体管具有独特的栅电容特性,即泄漏区中栅源电容的反常增大和饱和区中栅漏电容由于kink效应的增大。基于Meyer模型,考虑了泄漏产生效应和kink效应,对多晶硅薄膜晶体管的栅漏电容和栅源电容特性进行了建模研究。对实验数据进行拟合发现,提出的模型与实验数据符合得较好,能准确地预测多晶硅薄膜晶体管的栅电容特性。
有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
2010/8/20
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8 V,迁移率为25.4 cm2·V-1·s-1,开关比为106。
基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管
金属诱导晶化 规则排列连续晶畴 薄膜晶体管 低温多晶硅
2010/6/30
介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术。该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合。以定位孔为晶化的起始点，晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充。这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量，使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区。即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内，能形成连续晶畴的多晶硅薄膜，都可作为高质量TFT的有源层。根据晶核定位孔分...