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中国科学院宁波材料所氧化物薄膜晶体管人工光电突触研究取得进展（图）
宁波材料 氧化物 薄膜晶体 人工光电
2023/9/13
人工视觉智能技术在安全、医疗和服务等领域颇有应用潜力。然而，随着网络化和信息化的发展，基于冯·诺依曼构架的现有视觉系统因功耗问题难以实时处理海量激增的视觉数据。仿生人类视觉的光电突触器件可集图像信息采集、存储和处理于一体，有效解决现有视觉系统存在的时效性、功耗等问题。非晶氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）作为传统电子器件在显示、电子电路等领域已实现产业化应用。因此，基于氧化物TFT的创新器件在产业工...
随着摩尔定律的发展，芯片的功能越来越强大，集成度也越来越高。然而随着10nm技术节点的接近，普通TFT面临着严重短沟道效应和高成本投入的双重严峻挑战。而肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势而在近年来受到广泛研究和关注。相比于普通TFT，肖特基势垒TFT由于具有低饱和电压、高本征增益、良好的环境稳定性、显著减弱的短沟道效应...
五邑大学应用物理与材料学院学术讲座—新型薄膜晶体管的理论和实验研究（图）
学术讲座 新型薄膜 晶体管 实验研究
2021/11/17
2021年11月9日（星期二）下午3时，应五邑大学应用物理与材料学院和柔性传感材料与器件研究开发中心的邀请，中山大学博士生导师、国家优青获得者刘川教授在北主楼1707室给五邑大学师生做一场题为“新型薄膜晶体管的理论和实验研究”的学术讲座。本次讲座吸引了许多应用物理与材料学院师生过来学习和交流。
近日，我校物理与材料科学学院何刚教授课题组在MOS叠层栅的界面态控制及器件性能优化、低温构筑高性能薄膜晶体管及逻辑反相器方面取得重要进展，相关研究结果以“Low-Voltage-Operating Transistors and Logic Circuits Based on Water-Driven ZrGdOx Dielectric with Low Cost ZnSnO”和“Comparat...
近日，我校材料科学与工程系副教授郭旭岗课题组在单极性n-型有机薄膜晶体管方向取得重要进展，该成果发表在材料领域顶级期刊《先进材料》(Advanced Materials, 影响因子：19.791)，论文题目为“Thiazole Imide-Based All-Acceptor Homopolymer: Achieving High-Performance Unipolar Electron Tra...
去润湿图案化制备TIPS-并五苯有机薄膜晶体管
有机薄膜晶体管 去润湿图案化 电性能
2013/6/15
利用润湿/去润湿的方法配合旋涂工艺制备了图案化的TIPS-并五苯有机半导体薄膜,制备了顶接触有机薄膜晶体管(OTFTs)。金相显微镜观察发现,转速的选择对TIPS-并五苯薄膜结晶形貌的影响较大。在1 000~2 000 r/min转速下制备的薄膜完整性好,结晶区域较大;而转速增加到3 000 r/min后,难以获得完整的薄膜且晶粒尺寸变小。电学性能研究得到器件的输出曲线、转移曲线、开关电流比、阈值...
采用不同透明电极的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
薄膜晶体管 透明电极 非晶铟镓锌氧化物
2013/2/15
采用透明材料ITO和AZO为源漏电极,在室温下利用射频磁控溅射方法制作了底栅结构的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。实验发现,制备的薄膜晶体管均表现出了良好的开关特性。其中采用AZO为电极的薄膜晶体管的场效应迁移率为1.95 cm2/V·s,开关比为4.53×105,在正向偏压应力测试下,阈值电压的漂移量为4.49 V。
我国在无结薄膜晶体管领域取得重要进展（图）
无结薄膜 晶体管领域 重要进展
2011/11/25
最近，国外科研人员报道了一种新型的无结纳米线晶体管(Nature Nanotechnology. 5, 225 (2010)）。这种晶体管源极和漏极与沟道区之间没有结的存在。相比传统的结型晶体管，无结晶体管的源极、漏极与沟道共用一根重掺杂的硅纳米线，从而大大简化了传统器件的制备工艺并降低了器件的制作成本。遗憾的是，这种无结晶体管通常都是基于多栅的非平面硅纳米线器件结构，工艺上实现起来还需要在绝缘硅...
我国有机薄膜晶体管及柔性电路溶液法制备研究获进展（图）
有机薄膜晶体管 柔性电路 溶液法制备 研究进展
2011/8/17
有机薄膜晶体管（OTFT）由于在轻薄、低成本和柔性有机电子产品方面的广阔应用前景而成为有机电子学中的前沿研究。随着OTFT二十年来的迅猛发展，其性能指标已经初步满足实用化要求。但OTFT仍然存在着性能、稳定性和成本等方面的诸多问题，这些问题大大限制了OTFT的进一步发展。其中，OTFT的低成本制备特别是器件的溶液法加工以及高性能、高稳定性的功能材料开发特别是n型半导体研发作为决定OTFT走向应用的...