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搜索结果: 1-4 共查到材料科学 准二维相关记录4条 . 查询时间(0.257 秒)
可解离的准二维铁磁化合物在近年来引起研究人员的广泛关注,其中的代表性进展是单层CrGeTe3和CrI3长程铁磁序的发现,它为研究维度依赖的磁相变和高性能自旋电子器件提供了优良体系。新发现的准二维Fe3GaTe2具有高居里温度(Tc=342 K)和强垂直磁各向异性,Ga/Te原子与Fe原子的反铁磁耦合与强烈偏离巡游Stoner模型等行为表明Fe3GaTe2具有丰富物性和重要研究价值。
近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所超导研究再获重要突破。信息功能材料国家重点实验室、超导实验室姜达、胡涛等人通过机械剥离实现石墨烯/超薄超导Bi2Sr2CaCu2O8+x(Bi2212)异质结,在单层晶胞乃至半层晶胞厚的Bi2212材料中发现了高于液氮温度的超导转变。研究论文High-Tc superconductivity in ultrathin Bi2Sr2CaCu2O8+x dow...
近年来, 二维石墨烯和准二维无机类石墨烯材料作为电极材料广泛应用于超级电容器, 随着便携式电子器件的快速发展, 超薄、柔性储能器件的研发必不可少. 其中, 具有柔性乃至平面构型的超薄超级电容器正在迅速兴起, 成为一种极具潜力及发展优势的能量存储器件, 而二维材料在该类器件的构建中至关重要. 本文概述了全固态柔性超级电容的构建原理, 特别是二维/准二维材料在构建柔性超级电容器中的材料选择与复合提高性...
准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流方程求得包含陷阱态和晶粒尺寸的亚阈值斜率解析表达式。模型具有简明的表达式,并且在大晶粒和低陷阱态情形下可简化为传统长沟道MOSFET亚阈值区模型。仿真结果与试验数据符合得很好,验证了模型的正确性。

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