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近日，由微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）刘新宇研究员为首席科学家的973计划“超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究”项目经科技部评审答辩顺利申请成功。
半导体器件组装生产线上的多轴精密机械手
半导体激光管 半导体工艺 自动生产线
2008/11/3
项目研究的背景及用途：该项目所研制的“多轴精密机械手”为五轴运动的机光电一体化设备。它用于半导体激光管组装生产线上，主要承担是将激光管管座从塑料板上移送到专用铝模条上。这一工序是整个生产线物流的瓶颈，它的移送速度和可靠性严重影响生产线的产量。激光管管座的移送工作技术难度大，主要是因为5.6mm直径的管座吸起后需要旋转一定的角度，以使管座上的键槽定向后插入专用铝模条的孔内。为了提高效率，必须采用多个...
半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架
中国科学院上海技术物理研究所半导体器件 表面阳极化 电极夹
2008/10/27
该实用新型公开了一种半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架，包括升降台和阳极夹具。该实用新型的最大优点是设备制作简单，使用方便，作为阳极的芯片与阴极平行，并且垂直放在电解液中，使生成的钝化膜厚薄均匀，同时对样品的损伤最小。
项目的用途：适用于各种变流技术，节能技术、控制技术的装置中的核心元器件，可应用于机械、冶金、化工、电力、电子、交通、节能、安全保护、石油、煤炭采矿中，有广泛的应用。主要特点及技术指标、技术水平：是50年代后迅速发展起来的技术含量高的半导体产为。其技术指标和技术水平，能完全满足当前国内的需求，共有三个系列：不空系列ZP.1-1000A/500-3000A整流器件系列；半控制Kp.1-1500A/50...
项目介绍：前工艺线是由进口仪器设备装备的半导体集成电路及器件芯片加工生产线。可从事双极电路、CMOS电路、功率器件有结型场效应器件的加工，月生产能力为4英寸片5000片。该生产线于1998年4月通过了ISO9002质量体系认证，生产过程采用SPC统计技术进行控制。双极电路加工生产：具有完整的双极电路加工生产的全部工艺：光刻、埋层扩散、外延、隔离、磷穿透、基区离子注入、发射区扩散、电子束蒸(或溅射)...
一种制造高压半导体器件及IC的工艺
IC 高压半导体器件 CMOS高压智能集成电路 高压功率集成工艺
2008/8/22
通过对CMOS高压智能集成电路设计和工艺技术相关内容的研究，成功的开发出我国自己的高压功率集成工艺技术，并在上海贝岭公司建立了国内第一条660V高压功率IC生产线。在此基础上，制造出国内第一块耐压达660V、大功率（50瓦）、高低压兼容、数模混合CMOS工艺实现的PWM(脉宽调制）开关电源芯片。其主要技术指标均达到设计要求，除耐压尚有40V差距外；技术水平达到国内领先水平。与上海贝岭合作开发的高...
制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系（中科院）
锑化物 光电器件 化学刻蚀
2008/8/22
本发明研发了制备锑化镓基半导体器件用的新化学腐蚀液，它包括盐酸系、氢氟酸系和酒石酸盐系三种体系。盐酸系腐蚀液组成为盐酸、酒石酸和水；氢氟酸系腐蚀液组成为氢氟酸、酒石酸和双氧水；酒石酸盐系腐蚀液组成为酒石酸钾钠、盐酸和双氧水。这三种腐蚀液具有不破坏光刻胶掩膜，腐蚀速率适中可控(小于1μm/min)，与器件工艺兼容等特点，能应用于GaSb、AlGaAsSb、InGaAsSb等二元和四元系Ⅲ-Ⅴ族锑化物...