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中国科学院金属研究所专利:一种玻璃镀膜靶材及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 玻璃镀膜 靶材
2023/11/8
中国科学院金属研究所专利:一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积 磁性材料涂层 复合结构 靶材
2023/9/25
中国科学院金属研究所专利:一种电弧离子镀铁磁性复合结构靶材及其应用
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子 镀铁 磁性复合结构 靶材
2023/8/29
大型磁控溅射陶瓷靶材制备技术
大型磁控溅射 陶瓷靶材 制备技术
2012/11/6
课题来源于吉林省教育厅十一五科学技术研究项目“功能薄膜材料的研究”。背景是为解决高真空磁控溅射系统通常所要求采用的Φ60国际标准大型陶瓷靶材而开发的制备技术。
ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作,后者是制造平面液晶显示的主要材料,在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。靶材的主要性能指标为高纯度≥99.99%;高密度,相对密度≥92%。靶材目前纯度达到要求,密度热等静压产品大于98%,真空热压产品大于93%。应用与推广情况:已应用。技术转让条件:面议。
科技部 863新材料技术“大尺寸超高纯铝靶材”项目申请
“大尺寸超高纯铝靶材” 物理气相沉积
2008/5/7
据科技部网站消息:物理气相沉积(PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一,PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一,溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝和超高纯净铝合金靶材。研发具有自主知识产权的大尺寸超高纯铝靶材的制造关键技术,开发出满足半导体行业及TFT-LCD产业需求的超高纯铝靶材产品,对于我国相关产业的发展具有重要意义。
17.磁控溅射及多弧镀膜靶材
2008/1/16
17.磁控溅射及多弧镀膜靶材
(中国科学院金属研究所)
一、成果内容简介:铬靶主要用于磁控溅射镀茶色玻璃。由于铬的熔点高(约1800℃),铸造很困难,大多采用粉末烧结法,价格昂贵。中国科学院金属研究所采用均质合金特种冶炼技术,用铸造方法批量生产,降低了成果,并保证致密、杂质少,纯度高(>99.3%)。Ti-Al合金靶材是多弧离子镀(Ti,Al)N薄膜的核心材料,要求其成分均匀,纯洁度高...