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本发明涉及玻璃镀膜靶材制备领域,具体为一种玻璃镀膜靶材及其制备方法,解决磁控溅射玻璃镀膜靶材制备问题。该玻璃镀膜靶材采用的原材料为SiAl粉末,由纯Si粉和纯Al粉机械混合制得,混合粉末中各组元质量百分比及粒度为:Si粉85-95wt%,粒度45-125μm;Al粉5-15wt%,粒度30-100μm。该玻璃镀膜靶材采用常压等离子喷涂技术制备,制备工艺参数为:电流400-500A,电压45-58V...
本实用新型属于薄膜制备领域,具体地说是一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合结构靶材。复合结构靶材为靶壳及磁性材料靶材构成,靶壳紧固于磁性材料靶材外围;其中,靶壳为低饱和蒸气压和低二次电子发射产额的金属靶壳;或者,靶壳为陶瓷相材料层依附于可加工金属环上形成的靶壳,可加工金属环紧固于磁性材料靶材外围,陶瓷相材料层依附于可加工金属环在与磁性材料靶材的靶面平行方向的面上。本实用新型解决了电弧离子镀难于...
本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种电弧离子镀铁磁性复合结构靶材及其应用。所述复合结构靶材包括高磁导率的软磁性材料靶壳与铁磁性材料靶材,所述铁磁性材料靶材与软磁性材料靶壳相连。本发明复合结构靶材解决了由于铁磁性靶材表面增加沟槽克服磁屏蔽时,降低了靶材使用寿命,进而本发明复合结构靶材解决了为改变靶面磁力线分布,在沉积系统中附加耦合磁场所带来的设备操作复杂及成本增加问题。
中国科学院金属研究所专利:一种用于电弧离子镀沉积磁性材料涂层的复合靶材及应用
课题来源于吉林省教育厅十一五科学技术研究项目“功能薄膜材料的研究”。背景是为解决高真空磁控溅射系统通常所要求采用的Φ60国际标准大型陶瓷靶材而开发的制备技术。
ITO靶材     ITO靶材  TTO透明膜       2008/8/11
ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作,后者是制造平面液晶显示的主要材料,在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。靶材的主要性能指标为高纯度≥99.99%;高密度,相对密度≥92%。靶材目前纯度达到要求,密度热等静压产品大于98%,真空热压产品大于93%。应用与推广情况:已应用。技术转让条件:面议。
据科技部网站消息:物理气相沉积(PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一,PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一,溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝和超高纯净铝合金靶材。研发具有自主知识产权的大尺寸超高纯铝靶材的制造关键技术,开发出满足半导体行业及TFT-LCD产业需求的超高纯铝靶材产品,对于我国相关产业的发展具有重要意义。
17.磁控溅射及多弧镀膜靶材          2008/1/16
17.磁控溅射及多弧镀膜靶材 (中国科学院金属研究所) 一、成果内容简介:铬靶主要用于磁控溅射镀茶色玻璃。由于铬的熔点高(约1800℃),铸造很困难,大多采用粉末烧结法,价格昂贵。中国科学院金属研究所采用均质合金特种冶炼技术,用铸造方法批量生产,降低了成果,并保证致密、杂质少,纯度高(>99.3%)。Ti-Al合金靶材是多弧离子镀(Ti,Al)N薄膜的核心材料,要求其成分均匀,纯洁度高...
以水热合成的2种不同粒径(70±8)nm和(40±6)nm单分散ITO粉末为原料,对原料粉体粒径分布、冷等静压成型压力、烧结温度和时间等与靶材烧结密度之间的关系进行了研究.当2种粒径原料按7:3质量比混合均匀,成型压力为250MPa,成型坯体经1300℃预烧1.5h和在1400℃烧结1h后可以得到相对密度大于99%的高密度、高纯度ITO靶材.

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