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为推动微电子及集成电路学科高质量发展,发挥学校学科特色,深入推动国际交流与合作,2023年8月11日至13日,南京邮电大学和南京航天航空大学共同主办的第七届MOS-AK器件模型国际会议(The 7th International MOS-AK Workshop,简称MOS-AK 2023)在我校仙林校区举行。弘模半导体技术(上海)有限公司和南京邮电大学南通研究院共同承办此次会议。
中国科学院微电子研究所专利:带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利:MOS晶体管及其制作方法
中国科学院微电子研究所专利:一种MOS器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利:金属源漏SOI MOS晶体管及其形成方法
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在面向5纳米以下技术代的新型硅基环栅纳米线(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的结构和制造方法研究中取得新进展。
2016年6月26日至28日,国际MOS-AK研讨会在中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功举办。本次研讨会由中国科学院上海微系统与信息技术研究所(SIMIT)的信息功能材料国家重点实验室和上海微技术国际合作中心(SIMTAC)联合主办。由是德科技有限公司(Keysight Technologies)、北京博达微科技有限公司(PDA)、深圳市易捷测试技术有限公司等参与赞助。为期三天的研讨会吸引了...
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器(三)。
西安理工大学半导体集成电路课件第4章 MOS晶体管及反相器(二)。

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