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本发明公开了一种新型高比表面积SiC基的新型纳米碳复合材料制备方法。通过选择合成温度、气氛、不同催化剂，可实现在SiC表面控制生长出一层或多层不同厚度的碳层，且该碳层的形貌和结构特点随合成条件不同而不同。本发明实现了基于SiC的C-SiC复合材料的合成，该复合材料同时具有碳材料与SiC的优势，可应用于催化和吸附中。
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 原位反应 热压合成 TiB2-NbC-SiC 陶瓷复合材料
2023/12/27
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成TiB2-NbC-SiC高温陶瓷复合材料及其制备方法
中国科学院金属研究所专利：制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 铝基复合材料 近熔态 扩散工艺
2023/12/20
制备SiC纤维/铝基复合材料的近熔态扩散工艺,其特征在于：首先将 SiC纤维和铝合金预制体在固态条件下加压,使SiC纤维和铝基体充分接触； 然后再将复合材料在Al合金的固-液线之间保温,使基体处于半熔融状态, 破坏了氧化膜的连续结构,也增加了铝基体的流动性。本发明结合传统固 态热压法和液态法的优点,这种工艺不但可以促进基体之间的结合,而且 可有效抑制界面的有害产物的形成；从而明显改善SiC纤维/铝...
本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法,具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法,以解决TaC的抗氧化性能不理想,在氧化 气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成, SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料, 在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时,过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa),在真...
中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维表面C/AlN复合梯度涂层制备方法
中国科学院金属研究所 专利 SiC纤维 表面 C/AlN 复合梯度涂层
2023/11/21
本发明涉及复合材料的制备技术,具体地说是一种连续SiC纤维表面C/AlN 复合梯度涂层的制备方法。按如下步骤操作：第一步,富碳涂层SiC纤维的制备； 第二步,将生产的SiC纤维缠绕在样品支架上,然后放入磁控溅射仪真空室内； 第三步,当真空室的真空度优于1.0×10-3Pa时,转动样品支架,对其进行加热、 保温；第四步,保温结束后,首先通入氩气,然后通入氮气,使气体充分混合； 第五步,启动射频反应溅...
中国科学院金属研究所专利：一种原位反应热压合成Tac-SiC陶瓷复合材料
中国科学院金属研究所专利：一种SiC纤维增强Ni合金基复合材料及其制备方法
本发明公开了一种C/C‑SiC复合材料部件的制造方法。本发明方法包括：步骤1、将碳纤维粉和酚醛树脂粉按照（3：7）～（7：3）的质量配比充分混合；步骤2、对步骤1所得到的混合料进行冷压成型，得到素坯；步骤3、对所述素坯依次进行预氧化处理、碳化处理，得到碳坯；步骤4、对所述碳坯进行反应渗硅处理，得到初步的C/C‑SiC复合材料部件；步骤5、在初步的C/C‑SiC复...
专利名称：一种三明治结构C-C-SiC复合材料及其制备方法。
基于迟滞行为的2D-SiC/SiC复合材料组份力学性能分析
2D-SiC/SiC 复合材料 迟滞行为 剪滞理论 迟滞模型 组份性能
2015/3/23
基于剪滞理论, 建立了单向纤维增强陶瓷基复合材料的加卸载理论模型, 分析了基体长碎块和短碎块对材料迟滞力学行为的不同影响. 通过拉伸循环加卸载试验, 获得了2D-SiC/SiC 复合材料的迟滞应力—应变行为.依据材料基体损伤特点, 将试验结果代入长碎块对应理论推导结果, 计算得到了4 个表征材料组份性能的参数:基体开裂应力为90 MPa, 热残余应力为19 MPa, 界面脱粘能为3.1 Jm2, ...
2.5维C/SiC复合材料板弹性参数识别方法研究
C/SiC复合材料 弹性参数识别 刚度平均法 模型修正
2014/4/25
以大型商业有限元软件NASTRAN为计算平台，提出了基于模态试验结果的2.5维C/SiC复合材料板弹性参数识别方法。基于复合材料板的模态试验结果，采用模型修正的思想构造优化问题，其中目标函数定义为实测模态频率与计算频率之差的平方和，将以刚度平均法获得的复合材料弹性参数的理论预测值作为优化问题的初值，充分利用了材料参数的先验信息，然后对材料参数进行灵敏度分析，通过迭代求解识别出复合材料板的弹性参数。...
以炭毡作为纤维增强体，采用化学气相渗透工艺研制出低密度的C/C复合材料，进而以低密度炭/炭复合材料为预制体，采用聚碳硅烷和有机锆前驱体作为复相陶瓷前驱体，采用先驱体浸渍裂解工艺成功制备出ZrC/SiC多组元改性C/C复合材料试样。借助万能电子试验机和扫描电镜进行材料的力学性能和微观结构分析。结果表明：包含ZrC颗粒的SiC相双组元弥散分布在C/C 复合材料基体中，且随着前驱体中有机锆含量的增加，力...
本文在碳纤维增韧补强碳化硅陶瓷复合材料（CFCC-SiC）表面制备了NiCr/NiSi薄膜热电偶。传感器结构自下至上依次为CFCC-SiC陶瓷基底、SiO2过渡层，Al2O3绝缘层及NiCr/NiSi热电偶层。对所制备传感器进行了静态标定，其在300～700℃范围内具有稳定的热电动势输出，平均Seebeck系数为41.71μV/℃，传感器极限使用温约为750℃。
纤维热处理对C/C-SiC复合材料断裂韧度的影响
C/C-SiC复合材料 热处理 微观结构 断裂韧度
2013/4/4
对未处理和不同温度（600℃，900℃，1200℃和1500℃）热处理的纤维增强树脂基复合材料（CFRP）进行裂解，获得不同微裂纹和孔隙分布的C/C预制体，用液硅熔渗法（LSI）制备C/C-SiC复合材料。采用单边切口梁法（SENB）测试C/C-SiC复合材料的断裂韧度，分析纤维热处理温度对C/C-SiC复合材料微观形貌和断裂韧度的影响机理。结果表明：对碳纤维进行热处理能够有效改变C/C预制体的裂...