搜索结果: 76-90 共查到“电子科学与技术 CMOS”相关记录115条 . 查询时间(0.089 秒)
该成果利用0.18um CMOS工艺将应用于10Gb/s光接收机的限幅放大器、时钟恢复、数据判决单片集成，实现了从高速数据信号中提取时钟信号，对数据重新采样、定时。该电路已成功进行了流片及测试，满足设计要求，可用于10Gb/s光接收机系统中，并可进一步接收机的单片集成。本成果在世界范围内达到先进水平，表明我国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力，对我国信息高速公路的建设具有重大的意...
0.25um CMOS工艺10Gb/s 1:4数据分接电路
0.25um CMOS 工艺数据分接电路 光接收机
2008/11/25
该成果利用0.25um CMOS工艺实现用于速率为10Gb/s光接收机的分接器，实现了从高速电信号向低速电信号的转变，可以作为单片电路独立使用，也可集成在光纤通信接收机芯片。该成果在世界范围内达到了先进水平，表明我国在高速、超高速集成电路设计方面拥有自主设计开发能力，对我国信息高速公路的建设具有重大的意义，具有广阔的市场前景。该设计技术对于实现高速的串并转换电路具有借鉴意义。
采用标准LOGIC CMOS工艺制造的新型嵌入式不挥发存储器
存储器 CMOS工艺 不挥发
2008/11/20
2004年，绵阳凯路微电子公司已经启动新型RFID标签芯片产品的项目，在该项目中，采用XPM替代常规的EEPROM。XPM存储器采用有别浮置栅的新型存储机理。XPM技术的物理原理与传统的FLASH（快闪）存储器，ANTIFUSE（反熔丝），PFRAM（Polymeric Ferroelectric RAM，铁电存储器），MRAM（磁存储器）以及Ovonyx（类似于DVD的存储介质）等其它技术有本质...
低功耗CMOS型高压驱动电路
高压驱动电路 低功耗 驱动芯片
2008/11/14
该课题组研究的低功耗CMOS型高压驱动电路，工作时，低压一般在5V以下（包括5V），而高压可以从5V到500V，甚至更高。它是一种低功耗、高速CMOS型驱动电路，该电路可以把同时导通功耗降低几倍，特别适用于需要较大驱动能力的场合。
高性能栅长27纳米CMOS器件和栅长36纳米CMOS电路
纳米CMOS器件 纳米CMOS电路 纳米电路 纳米器件
2008/11/11
该器件具有强化氮化氧化栅介质EOT 1.4 nm(Gate Oxide)；横向局域限定的超陡倒掺杂沟道剖面(SSRCD)；31nm超浅高表面浓度S/D延伸区(N/P-ext)；Offset S/D Extension结构(SW-1&SW-2)；双功函数多晶硅栅电极(p-+poly & n+-poly)；Co/Ti双元难熔金属自对准硅化物(SALICIDE)。器件输出特性和亚阈值特性很好；在±1....
集成CMOS射频锁相环电路
锁相环 锁相环电路 射频锁相环
2008/11/11
该设计为采用电荷泵锁相环结构的集成电路，具有较强的捕捉能力和较大的锁定范围，可达到无稳态相差锁定。主要由鉴频鉴相器、电流泵、低通滤波器、压控振荡器和分频器五个部分组成。该设计中采用了自顶向下的方法，对电荷泵锁相环电路从系统级开始研究，最终逐步过渡到版图的设计。首先，应用Verilog A语言建立了锁相环系统行为级模型，优化了环路参数。其次，确定每个模块的电路结构并对每一个模块进行了详细的设计与模拟...
军用高速CMOS电路BH54HC系列的研制与应用
集成电路 军用器件
2008/11/11
BH54HC系列高速CMOS集成电路采用了微米的沟道长度，厚氧隔离等平面浅结构。因此电路工作速度比CC4000系列提高1个多量级，达到或超过LSTTL电路的水平，同时又具有CMOS集成电路固有的低功耗，高抗干扰和工作电压范围宽的特点，可以替代LSTTL电路，减少整机系统功耗，提高整机系统的可靠性。该课题主要内容包括采用全新的3微米硅栅CMOS集成电路设计规则，结合军用器件高可靠的要求进行BH54H...
亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料
硅 外延生长 集成电路 半导体材料
2008/11/11
该型材料主要用于亚微米、深亚微米CMOS工艺集成电路的制造。研究中开发了Ф4-6英寸P/P+、N/N+ CMOS外延硅材料；解决了CMOS硅外延生长、外延吸杂关键技术；探讨了外延生长工艺中本征吸杂与各种外吸杂作用的机制、吸杂效率、吸杂稳定性及对硅外延片质量影响；提出了气相腐蚀、调制掺杂、重掺硅衬底片平整度改进的新工艺技术途径，建立了完整的亚微米、深亚微米CMOS电路用P/P+、N/N+硅外延片生长...
(G)CMOS体硅铝栅七专集成电路抗辐射加固技术
集成电路 硅铝栅抗辐射
2008/10/30
用于“东方红三号”长寿命通讯卫星的抗辐射加固体硅铝栅(G)CMOS集成电路产品的抗γ总剂量辐射水平达到5*10^5γace(si)以上，其中1个品种达到1*10^6γace(si)以上，并通过了2个1000小时的可靠性试验。其31个品种500块(GR)CMOS集成电路已经用户验收，全部合格，抗辐照指标超过了攻关任务指标，满足了长寿命通讯卫星的使用要求。这一攻关任务的完成打破了国际封锁，为国家节省了...
0.18/0.1微米CMOS集成电路关键技术研究
CMOS 微米 集成电路
2008/10/30
该项目研究了陡直的倒掺杂沟道剖面的优化设计和工艺实现方法，超浅的高浓度S/D延伸区结构设计与实现技术，超薄氮化栅氧化膜制备技术，双多晶硅栅电极结构，高精度、高选择比干法刻蚀技术，薄的、低电阻硅化物SALICIDE技术，电子束与Stepper混合光刻技术，两次SOG平坦化及双层布线技术。完成了0.25/0.18/0.1微米CMOS工艺集成及工艺流程优化研究，在国内率先研制成功了性能优良的沟道长度为...
CMOS射频集成电路并发技术
射频集成电路 单片集成电路 电路调整 电路开发
2008/10/30
该成果根据CMOS射频单片集成电路不能进行电路调整和衬底影响较大等特点，开发了一整套用于此类电路开发的技术，包括原理图优化技术、电磁场分析用于版图的布局布线优化技术、深N阱隔离和外加保护环用于减少衬底信号串扰和衬底损耗的元器件隔离技术以及片上直流偏置电路设计技术等。除了该课题中开发的4种电路以外，还将开发射频收发系统中用到的其他电路，直到形成一个完整的射频收发系统单片。该成果在系统性和完整性方面...
一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源
CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿
2008/10/6
介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源. 由于采用电流模结构，带隙基准源的最低电源电压为900mV. 通过VEB线性化补偿技术，带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃. 在电源电压为1.1V时，电源电流为43μA，低频的PSRR为55dB. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm 混合信号工艺验证，芯片面积为0.186mm2.
提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法. 与现有的统计学方法相比，该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁，但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估. 此模型利用统计学的概念将依赖于IC工艺的物理参数抽象为具有确定均值和方差的随机变量，并进一步将所有随机因素累加为离散鞅. 在SMIC 0.18μm CMOS 1P6M 混合信号工艺下，利用工作在100pA~1μA...
主要研究了部分耗尽型亚微米CMOS/SOI器件特性；浮体SOI器件和体源短接时两种结构性能对比，（包括直流特性和高频特性）以及薄膜全耗尽器件的栅电极工程等。研制成功性能优良的部分耗尽及薄膜全耗尽CMOS器件。并形成了一整套完整的亚微米CMOS/SOI集成电路工艺流程。在器件研究和工艺研究的基础上，设计并研制成功0.8微米101级CMOS/SOI环形振荡器电路；根据航天和军工用户的需要，研制成功SO...
微电子所CMOS超宽带射频前端关键芯片研制取得突破性进展（图）
芯片 进展
2008/8/5
超宽带 (UWB)是应用于无线个域网(WPAN)的短距离、高速率无线通信技术，其传输速率可以达到480Mbps甚至更高，主要用于无线USB、数字家庭等消费类电子领域，拥有巨大的市场前景。2004年，美国联邦通信委员会(FCC)将3.1-10.6GHz频段划归为UWB的民用频段，此后无论是学术界还是工业界都对UWB技术投入了大量的研究力量。