搜索结果: 46-60 共查到“电子科学与技术 CMOS”相关记录115条 . 查询时间(0.119 秒)
一种适用于IEEE802.15.4协议的全集成CMOS复数滤波器
复数滤波器 OTA 频率调谐
2009/11/20
复数滤波器是低中频结构接收机中的一个重要模块，起到镜像抑制的作用。该文针对IEEE802.15.4的低功耗要求，提出了一种可以灵活配置共模反馈模块的伪差分结构OTA，该OTA具有内部共模前馈和共模检测功能，适用于级联应用。基于该OTA结构实现了一个3阶巴特沃斯Gm-C复数滤波器，中心频率在1 MHz，带宽1.3 MHz，带内群延时波动小于0.16 μs，镜像抑制能力满足IEEE802.15.4协议...
载流子色散型硅基CMOS光子器件
集成光学 硅基 载流子色散效应
2009/10/22
为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化，介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点，并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果，光调制器消光比约18 dB，1×2光开关消光比约21 dB，谐振环的消光比8～12 dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件，将能使集成...
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
静电放电 保护电路 反馈
2009/10/21
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路．该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件，同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度，使得保护电路能够及时关闭，避免箝位器件栅极电流保持过长时间，保护了箝位器件的栅极．此外，该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件，节省了电路的成本．
基于传输函数理论的多值多变量CMOS电路综合
传输函数理论 多值逻辑 多值CMOS电路
2009/10/20
本文讨论了基于传输函数理论的多值CMOS电路综合技术。通过对基于传输函数理论的CMOS电路与T门的分析比较,指出了它们的工作原理的一致性。在此基础上提出了用函数分解综合多值多变量CMOS电路的方法。
基于开关信号理论的三值电流型CMOS电路设计
开关信号理论 传输电流开关理论 多值逻辑
2009/9/23
本文应用开关信号理论对电流型CMOS电路中MOS传输开关管与电流信号之间的相互作用进行了分析,并提出了适用于电流型CMOS电路的传输电流开关理论。应用该理论设计的三值全加器等电路具有简单的电路结构和正确的逻辑功能,从而证明了该理论在指导电流型CMOS电路在开关级逻辑设计中的有效性。
描述了一个高速并行(FlashADC)模数转换器的仿真分析与设计.该模数转换器运用反相器阈值电压量化技术(Threshold Inverter Quantization,TIQ)进行设计,使得使用普通CMOS数字工艺也可获得很高的采样速度.在文中,一个使用TSMC0.25μm工艺的8位TIQCMOS并行模数转换器被设计出来并加以仿真分析.该模数转换器采样速度可达600MS/s,工作电压为2.5V时...
Investigation of CMOS Varactors for High-GHz-Range Applications
Investigation CMOS Varactors High-GHz-Range Applications
2009/9/4
This paper explores a variety of different CMOS varactor structures for RF and MMICs. A typical 0.18μm CMOS foundry process was used as the study platform. The varactors' capacitance-voltage character...
0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析
亚微米LDD器件 模拟 可靠性
2009/9/1
针对实验中发现的亚微米LDD结构的特殊的衬底电流现象和退化现象,进行了二维器件数值模拟,解释了LDD器件退化的原因,最后提出了LDD器件的优化工艺条件。
电流型多值CMOS电路的化简
CMOS电路 多值逻辑 四值电路
2009/9/1
本文提出了电流型多值CMOS电路的化简方法,该方法的关键在于寻找适合于电流型多值CMOS电路实现的覆盖。设计实例表明,本文提出的设计优于G。W。Dueck等人(1987)的设计。
高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析
CMOS数字集成电路 瞬态特性 高温CMOS
2009/9/1
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。
双端置数技术与高值CMOS触发器设计
多值逻辑 CMOS 触发器
2009/9/1
在分析以往高值触发器困难的基础上本文提出了双端予置的逻辑设计方案。应用传输函数理论对四值CMOS触发器进行了电路设计。结果表明,与存贮相同信息量的二个二值触发器相比,它有较简单的结构与较快的工作速度。
CMOS差分电感和串联电感对的建模与分析
CMOS 差分电感 串联电感对 串扰
2009/8/31
该文分析了基于中芯国际0.18μm CMOS工艺的差分电感和串联电感对，提出了电感在射频CMOS差分电路中的应用原则。研究了串联电感对之间的串扰效应，并提出了能准确反映互感效应、衬底容性损耗效应以及线圈间容性耦合的完整串扰模型。最后，通过对一组变间距的电感对进行测量分析，验证了该模型的准确性和适用性。
低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化
低噪声放大器 低功耗 射频电路
2009/8/5
分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术：实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足，提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。
A new CMOS Differential OTRA Design for the Low Voltage Power Supplies in the Sub-Micron Technologies
OTRA transimpedance amplifier low voltage power supply
2009/7/28
In this study, a new CMOS differential OTRA topology is proposed. This topology can operate with a very low voltage power supply as \pm 0.6V. In this design, CMOS 0.13 m m STMicroelectronics technolog...