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近日,南方科技大学深港微电子学院安丰伟课题组在图像芯片领域取得新进展,相关研究成果在国际顶级会议ESSCIRC202以及期刊TCAS-I上发表。
近日,南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在下一代存算芯片领域取得重要进展,相关研究成果相继发表在国际顶级期刊Nature Communications、材料领域知名期刊Advanced Electronic Materials、ACS Omega(获选为封面文章)。
近日,南方科技大学深港微电子学院助理教授林龙扬和新加坡国立大学电气与计算机工程系教授Massimo Alioto团队合作在集成电路安全研究领域中取得系列进展,提出对抗激光电压探测攻击和侧信道攻击的新方法。研究成果相继发表在集成电路领域顶级期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC) [1]和顶级会议2023 IEEE Symposium on VLSI...
近日,2023年度集成电路设计领域顶级会议IEEE ESSCIRC在葡萄牙里斯本召开。南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组的论文“A 18.5-to-22.4GHz Class-F23 VCO Achieving 189.1dBc/Hz FoM Without 2nd/3rd-Harmonic Tuning in 65nm CMOS”入选了此会议。该论文的第一作者为深港微电子学院2022级硕士生...
2023年5月21-25日,集成电路重要学术会议IEEE电路与系统国际研讨会(IEEE International Symposium on Circuits and Systems,ISCAS)2023在美国加利福尼亚州蒙特雷举行。来自南方科技大学深港微电子学院的论文“A Fully-Integrated Half-Bridge GaN Driver for Bidirectional Powe...
近日,华南理工大学微电子学院两名研究生的毫米波芯片研究成果论文《A 52-to-73GHz Tri-Coupled Transformer Based Noise Self-Canceling and Gm-Boosting LNA with 3.78dB NF and 22.4dB Gain in 40nm CMOS》《A 52-67 GHz Ultra-Compact Bi-direction...
近日,2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits(VLSI Symposium)组委会公布了会议文章录用结果,南方科技大学深港微电子学院在本届VLSI Symposium有3篇文章入选。
近日,南方科大学深港微电子学院院长于洪宇教授团队在GaN器件研究中取得系列重要进展,研究成果相继发表在在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters(EDL)、Applied Physics Letters(APL)及IEEE Transactions on Electron Devices(TED)期刊上。相关工作获得国家自然科学基金面上项目、广东省重点领域研发...
近日,南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组在集成电路设计领域国际高水平期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (TCAS-II) 发表综述文章“Injection-locking techniques for CMOS millimeter-wave and terahertz signal generatio...
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展,特色研究成果包括高性能Ga2O3功率二极管制备方法、基于GaNHEMT器件的含碳颗粒物传感器、具有片上光电探测器的GaN基白光发光二极管、非接触式表面粗糙度测量器件和高性能GaN条形发光二极管。相关成果分别发表于国际微电子器件期刊IEEE Transactions on Electron ...
近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率和传感器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、以及角度和压力传感器件。相关成果分别发表于国际微电子器件顶级期刊IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions...
近日,南方科技大学工学院国家示范性微电子学院于洪宇院长团队在宽禁带半导体材料和器件领域取得重要进展,特色研究成果包括免刻蚀常关型GaN凹栅MIS-HEMT器件、具有长期工作可靠性的p-GaN HEMT器件及新型栅极击穿测量方法、实现低磁滞和高稳定性的HfO2/GaN MIS-HEMT器件、精确控制InAlN/GaN异质结构刻蚀深度和表面形貌的新型原子层刻蚀技术,以及高性能Ga2O3功率二极管制备。...
近日,合肥工业大学微电子学院系统结构研究室硬件安全小组提出并实现了一种具有高吞吐率、可移植性的真随机数发生器(TRNG)结构,相关成果以“High-Throughput Portable True Random Number Generator Based on Jitter-Latch Structure”为题发表在电子工程类国际著名期刊IEEE Trans. Circuits Syst. I,...
德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持,弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元,莱布尼茨学会获7000万欧元。
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在2016年11月4日的《自然·通讯》杂志上。传统的半导体器件受到材料本身的限制,在频率、功耗等方面存在极限,而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的...

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