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日本科研人员不久前开发出了波长极短的紫外线半导体激光,这项成果有望催生容量大于蓝光光碟的下一代光碟。 据日本《朝日新闻》2008年7月28日报道,滨松光子学公司中央研究所的研究人员以化合物氮化镓铝为发光层,在室温环境下生成了波长342.3纳米的紫外线半导体激光。此前,科研人员运用其他先进工艺曾开发出波长约350纳米的半导体激光。 用于读写光碟的可见光、紫外线等的波长越短,光碟可容纳...
由上海交通大学、上海市汽车工程学会、德国不来梅大学共同主办的“中德半导体激光表面技术研讨会”(Sino-Germany Workshop on Laser Surfacing Technology with Diode lasers),于2006年8月25日在上海交通大学闵行校区激光制造实验室圆满召开。该会议的议题是“半导体激光表面处理技术”,主要讨论了激光表面处理技术的现状及前沿和半导体激光表面...
中华人民共和国科技部2005年11月8日讯 863计划新材料技术领域“新型GaAs基近红外波段纳米半导体光电材料研究”课题近日取得重大进展:研制成功工作波长1.58微米的镓铟氮砷锑/镓砷(GaInNAsSb/GaAs)激光器,并实现室温连续激射,标志着我国砷化镓基近红外波段光电子材料与器件的研究已拥有完整的自主知识产权,研究水平处于世界领先地位。

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