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2023年7月14日，以“洞见·破局·新发展——以产教融合促进经济社会和人才高质量发展”为主题的2023（首届）产教融合发展大会在河北雄安举办。此次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，来自全国各地高校、职业院校、行业企业、社会组织等产教融合各参与主体的代表700余人参会。南京邮电大学副校长、学院院长郭宇锋教授受邀参加并发言。
2023年7月11日，苏州长光华芯光电技术股份有限公司（以下简称“长光华芯”）在2023慕尼黑上海光博会举办“氮化镓激光器产业化项目”签约发布仪式。
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种直接在疏水基底上实施蘸笔纳米刻蚀技术的方法
中国科学院上海微系统与信息技术研究所实现六方氮化硼纳米带的带隙调控（图）
六方氮化硼 纳米带 带隙调控
2023/7/14
六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。
中国科学院化学研究所专利：一种3D微混合微流控芯片的制作方法
中国科学院化学研究所 专利 3D微混合 微流控芯片
2023/7/12
中国科学院化学研究所专利：一种3D微混合微流控芯片的制作方法
中国科学院化学研究所专利：在含有疏水性的硅柱的硅片表面构筑微电极对阵列的方法
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法