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ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜
2007/12/18
摘要 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法，以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=［CH4］/{［CH4］+［C4F8］})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数（低k）材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C:F薄膜的化学组分和光学性质。沉积的a-C:F薄膜介电常数约为2.1～2.4，热稳定性优于350℃。随着气体流量比的增大，沉积a-C:...
晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响
金刚石膜 电学特性 晶粒尺寸 HFCVD
2007/12/18
摘要 通过改变生长参数，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜，并制作了三明治结构的光电导探测器。采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌：表面粗糙度从423nm变化到15nm；晶粒越大，金刚石膜的质量越好。I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小，金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm。在5.9 keV的55Fe X射线...
甲烷浓度对CVD金刚石薄膜晶体学生长过程的影响
2007/12/12
摘要 采用X射线衍射技术、电子背散射衍射技术和扫描电镜分别观察了不同甲烷浓度条件下沉积的CVD自支撑金刚石薄膜的宏观织构、微区晶界分布和表面形貌. 研究了金刚石晶体{100}面和{111}面生长的晶体学过程. 研究表明, {100}面通过吸附活性基团CH22-, 而{111}面通过交替吸附活性基团CH3-和CH3-后脱氢堆积碳原子. 低甲烷浓度时, {111}面表面能低于{100}面, 使{111...
碳纳米管异质结构的 ECR-CVD法制备
纳米
2007/12/12
摘要 使用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法(ECR-CVD), 以Fe3O4纳米粒子为催化剂, 多孔硅为基底, 采用CH4/H2和CH4/B2H6/H2两种气源在连续的CVD过程中大量合成了一种新型的纳米管异质结构. 扫描电镜(SEM) 和透射电镜(TEM)观察表明: 合成的异质结构一端是类竹节状的掺硼碳纳米管, 另一端是光滑中空的纯碳纳米管. 异质结构采用底端生长模式, 先行生长的掺硼纳...