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中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展（图）
半导体材料 晶体管器件 光电集成
2023/11/3
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了良好的研究平台。此外，OLETs作为一种可发光的晶体管器件，克服了传统晶体管存在可输入信号类型多，但...
中国科学院半导体所设计出超高自旋轨道矩效率的反演对称破缺超晶格（图）
中国科学院 半导体所 自旋轨道 矩效率 超晶格 Nano Letters
2023/10/18
中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念，并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而，实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象，最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
上海微系统所阐明砷在双向阈值开关中的作用机制（图）
毒性元素 半导体 材料砷化镓
2023/9/30
砷（As）是一种高毒性元素，但长期以来一直被广泛用于半导体制造: 通过将砷注入硅衬底制造N型半导体; 同时，砷也是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。此外，砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程有着不可或缺的作用，而相变存储器是一种新兴的存储器技术、，可填补现代计算机中闪存和内存之间的巨大性能鸿沟。早在 1964 年，Northover 和 Pearson 就在砷基铬化物（即 ...
中国科学院金属研究所专利：一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 半导体性 单壁 碳纳米管
2023/9/26
本发明涉及单壁碳纳米管领域,具体为一种化学气相沉积原位弱氧化与后处理氧化相结合大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法。在化学气相沉积生长单壁碳纳米管过程中引入微量的氧气,再将制备得到的单壁碳纳米管在适当温度下于空气中氧化。以二茂铁为催化剂前驱体、氢气为载气、硫粉为生长促进剂、在一定温度下同时通入碳源气体和微量氧气进行单壁碳纳米管的生长和原位弱氧化。将所得单壁碳纳米管样品在空气气氛和较低温度下长时间氧化...
复旦大学先进材料实验室微纳电子材料研究所
复旦大学 先进材料实验室 微纳电子材料 研究所
2023/9/20
半导体晶体管和集成电路的发明与磁性存贮材料的使用，更让人类进入了一个崭新的信息时代。从当前的国内外学术发展动态来看，新型电子材料的研究对象呈现其维度从高维向低维发展，电子关联程度从弱关联向强关联体系发展这两个显著特点。低维度上的微纳尺度体系成为相关电子材料研究的主流。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...
郭振刚，男，天津城建大学材料科学与工程学院副教授，博士，联系方式：zhengangguo@tcu.edu.cn办公电话：022-23085236。
开发近红外波段具有宽吸收且高外量子效率的超窄带隙光伏材料，对于实现高效的叠层有机太阳能电池（OSC）和钙钛矿/有机叠层太阳能电池至关重要。然而，超窄带隙有机半导体材料极大的受到非辐射性三线态激子的影响，进而造成严重的非辐射性能量损失。因此，开发具有低能量损失的超窄带隙有机受体光伏材料具有一定挑战。
非苯型的共轭分子骨架与相应的苯类化合物相比具有不同的电子和结构特征。含有非苯型的五元环或七元环的大共轭分子可能作为含有“缺陷”的新型碳的同素异形体而展现特异的光、电、磁等性质。因此，含五元环或七元环的共轭分子受到了越来越多的关注并被合成和研究。然而，目前的研究主要存在稠合模式单一、合成复杂、结构不稳定、分子不平面、缺乏功能研究等问题。