搜索结果: 121-135 共查到“知识库 半导体器件与技术”相关记录196条 . 查询时间(3.219 秒)
DP-R50半导体泵浦通用打标机
打标机 半导体泵浦 激光打标
2008/10/28
DP-R50半导体泵浦通用激光打标机是大族激光公司最新研发的设备，该设备使用半导体泵浦激光器和国际上最先进的激光技术：采用美国进口半导体列阵，用波长808nm半导体发光二极管泵浦Nd:YAG介质，使介质产生大量的反转粒子，在Q开关的作用下形成波长为1064nm的巨脉冲输出，电光转换效率高，激光器体积小，是传统灯泵浦激光器的四分之一。该产品分DP-R50L和DP-R50两种系列：DP-R50L打标...
半导体扩散炉温度自动控制仪
扩散炉 自动控制 半导体工艺 温度控制器
2008/10/27
该仪器的主要指标：(1)控制温度范围：500℃～1300℃；(2)温度误差：±0.5℃；(3)电源电压；交流220V+5%～-20%；(4)PID指标：最大积分时间P为500秒，积分增益为50；微分时间为0.6～300秒，微分增益为4.9；比例带为1～10%。该仪器曾试生产30台，使用单位较为满意。
半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架
中国科学院上海技术物理研究所半导体器件 表面阳极化 电极夹
2008/10/27
该实用新型公开了一种半导体器件芯片表面阳极化电极夹持支架，包括升降台和阳极夹具。该实用新型的最大优点是设备制作简单，使用方便，作为阳极的芯片与阴极平行，并且垂直放在电解液中，使生成的钝化膜厚薄均匀，同时对样品的损伤最小。
RF MEMS开关吸合电压的分析
RF MEMS 开关
2008/10/22
吸合电压是MEMS静电执行器的重要参数，针对RF MEMS开关，详细分析了开关在不同执行方式下的吸合电压. 对于执行电压是脉冲方式而言，开关梁受迫振动，不同于准静态方式，此时使开关发生吸合的执行电压为动态吸合电压，计算表明比准静态吸合电压小8%. 通过简化的弹性系数和精确的电容计算公式，详细分析了基于CPW的双端固支梁开关的准静态和动态吸合电压. 分析了环境阻尼对动态吸合电压的影响，阻尼使得开关的...
高速ECL256字×1位随机存储器
ECL 随机存储器
2008/10/15
高速 ECL 256字×1位随机存储器是在改进设计以及采用漂发射区、双层金属布线等工艺基础上得到的.地址取数时间典型值为12毫微秒,读写周期为22 毫微秒,功耗500毫瓦,可靠性高、这个器件能在环境温度-55-+150℃以及电源电压-3.5—-7.0伏范围内正常工作. 本文介绍了在线路和版图设计以及制造工艺方面的特点.
半导体端面泵浦激光打标机
端面泵浦 激光打标机
2008/10/14
该机采用国际上最先进的激光泵浦技术，将泵浦光（808nm）直接从激光晶体的端面耦合，激光器由固定于同一轴线上的激光二极管泵浦源、准直透镜和聚集透镜组成的光学耦合系统、由全反镜和输出镜组成的光学谐振腔、调Q器件和Nd:YVO4激光介质构成，泵浦光通过光学耦合系统耦合到激光介质上，不外加光纤传输；通过调节聚集透镜实现泵浦光和谐振腔模的匹配；采用声光调Q方式获得了脉宽小于10ns的波形，调Q频率可达10...
半导体激光器及发光管热特性分析仪
半导体激光器 发光管 热特性
2008/10/14
该产品是测量半导体激光器与发光管温升及热阻的专用设备，自动测量程度高，所有操作全部由计算机界面控制。该分析仪经北京市科委组织的专家鉴定，已达到国内领先水平，部分指标优于国外的同类设备。
功能丰富的逻辑分析器设计
逻辑分析器 逻辑设计
2008/10/14
本文提出一种功能丰富具有数据比较功能的逻辑分析器的设计方案.对实现无竞争冒险的逻辑设计及整个系统的工作原理作了较为详细的论述.给出了作为试验样机的 LA-781型逻辑分析器的研制结果.
该器件系利用半导体激活介质具有极高增益的特点，对输入的微弱光信号进行直接的光放大。具有高增益、低噪声、频带宽的特点，可以在光纤通信系统中作为中继放大、前置放大器或双向放大器以及在相干通信系统中作为多信道放大器。其主要指标为：光纤－光纤（单模）净增益14～17dB；增益带宽±20nm；中心波长1.3um；输出信噪比大于30dB（输入光功率为-30～35dBm）。
项目简介：利用半导体光放大器中的交叉增益调制效应，实现信号从一个波长到另一个波长，即一个信道到另一个信道的转换，其优点是装置简单、转换效率高、易于实现，并可与其它半导体光电子器件进行集成。全光波长转换器，是全光通信系统中的关键器件，在DWDM中将起到重要作用，可避免信号冲突，增强网络管理的灵活性，提高网络的性能和网络资源利用率，对实现宽带、高速、全光通信具有重要意义。该项目研制器件通过教育部专家鉴...
半导体激光器电源的保护器
半导体激光器 电源 保护器
2008/10/13
一种半导体激光器电源的保护器，主要用于半导体激光器驱动电源中对半导体激光器的保护。半导体激光器的驱动电源回路通过三只限流电阻串联组成的回路输出工作电流。继电器同第二限流电阻并联，并通过继电器两常开触点输出电流。有两只互锁开关分别控制继电器启动电路和予置负载。两只互锁开关总是一闭合另一断开。所以能够使得驱动电流源回路的工作开关与驱动开关分开，半导体激光器在不工作时两极短接，永远处于安全状态。
硅反型层中的Anderson转变
硅反型层 Anderson 转变
2008/10/13
在4.2—20K温度范围内,利用MOS器件的沟道电导率随栅压的变化,研究了Si-SiO_2界面反型层中的Anderson转变.发现实验Inσ～1/T曲线外推到1/T=0时,一般都不交于一点.考虑到界面势场除具有微观无序性外,尚具有宏观不均匀性,而把反型层看成是由许多迁移率边互不相同的宏观小区域组合而成的非均匀系统;在每个小区域内,再采用均匀无序系统的定域化模型来处理.这样,计算的结果与实验符合,也...
研究了一种用于边入射型探测器的InP基高效光纤-波导耦合器. 它由10个周期的未掺杂120nm InP/80nm InGaAsP (1.05μm带隙)多层膜组成的稀释波导构成. 采用半矢量三维束传播（BPM）方法以及中心差分格式，模拟了不同条件下的光纤-波导耦合效率，从而得到了最优耦合条件. 对于TE偏振和TM偏振模，计算所得到的最高耦合效率分别为94%和92%. 同时，计算表明，此类基于稀释波导...
提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器. 该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式，实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出. 通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法，大大降低了调试难度，更重要的是，克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制，在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善. 该方法为微波、毫米波压控振荡器的...