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中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展（图）
电子器件 磁场 拓扑
2024/4/9
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而，经过二十年的科学探索，人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如，自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释，面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此，中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光器
2023/12/15
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器，体积较大，可靠性差。
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 硅通孔结构 半导体器件
2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
一种半导体器件的制备方法及半导体器件（图）
半导体器件
2023/11/10
本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高...
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
2023/10/7
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
高塔半导体与旭创合作开发多代硅光收发器
高塔半导体 旭创 硅光收发器
2023/9/19
在CIOE2023期间，，高价值模拟半导体代工解决方案的领导者Tower Semiconductor(“高塔半导体”或“高塔”)(纳斯达克/特拉维夫证交所：TSEM)和数据中心光学的领导者旭创科技（“旭创”），宣布合作开发基于高塔硅光工艺平台(PH18)的多代高速光收发器。随着生产的进行，这一战略合作伙伴关系有望实现尖端的解决方案，以支持人工智能、数据中心和下一代电信网络日益增长的需求。根据市场调...
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 隔离区 半导体器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法