搜索结果: 106-120 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录121条 . 查询时间(6.493 秒)
国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议召开
国家973计划 半导体器件会议
2010/2/5
2010年1月29日,中科院微电子所国家973计划和重大科学研究计划《超高频、大功率化合物半导体器件与集成技术基础研究》、《纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究》项目实施启动会议在北京外国专家大厦举行。国家科技部基础司钱小勇处长、中科院高技术局戴博伟处长、中科院基础局王永祥处长出席会议并致辞。吴德馨院士、郑有炓院士、王越院士、周炳琨院士、范守善院士、解思深院士及相关兄弟院所高校专家和两项目...
中国科学院半导体研究所光互连用硅基光调制器研究取得重要进展
中国科学院半导体研究所 光互连 光调制器
2010/2/1
硅基集成电路已经发展到近乎完美的程度,现在每年全世界的晶体管数量已经高达1018只,比全世界的蚂蚁的总数还多几十倍。电子器件间的互连中,99% 是由金属引线完成的。这种电互连即限制了计算机系统和通信系统的传输速率,也非常耗电。目前美国发电总量的3%用于电互连,是耗电量大户。因此,电互连成为制约高速传输、多核处理、功耗降低等的瓶颈。光互连是是解决互连问题的理想方案,不但能够提高计算机和通信的速率,还...
陈涌海被批准成为2009年“新世纪百千万人才工程”国家级人选的通知
陈涌海 2009年 新世纪百千万人才工程 国家级
2010/1/26
根据人教函字<2010>2号文件,陈涌海被批准成为2009年“新世纪百千万人才工程”国家级人选。
光子束超衍射纳米加工技术及应用基础研究项目获国家重大研究计划立项
光子束超衍射纳米 项目 国家重大研究计划
2009/10/28
近日,以中科院理化技术研究所段宣明研究员任首席科学家申报的“光子束超衍射纳米加工技术及应用基础研究”项目通过了科技部国家重大研究计划评审,批准科研经费为2400万元。项目研究团队由中科院理化技术研究所、国家纳米科学中心、中科院半导体研究所、南开大学等单位组成。
砷化镓霍尔器件产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 产业化
2009/10/22
大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心落户天津工大
大功率半导体照明应用系统 教育部工程研究中心 天津
2009/9/29
砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 验收
2009/9/21
我国大尺寸功率半导体打破国外核心技术垄断
大尺寸功率半导体 技术垄断
2009/9/9
上海技术物理研究所首创大功率半导体照明器件升级筛选技术条件
上海技物所 首创 大功率半导体照明器件
2009/6/25
材料科学重点实验室研制出室温工作量子级联探测器
材料科学重点实验室 室温 量子级联探测器
2009/6/12
近日,半导体研究所材料科学重点实验室最近成功地研制出应变补偿的InGaAs/InAlAs量子级联探测器,初步实现室温工作,室温探测中心波长为4.5微米。附图为部分代表性结果。量子级联探测器是一种新型的光伏型探测器。它的工作原理是基于具有不对称的、锯齿状导带结构的耦合量子阱中的子带间的跃迁,从而允许激发态电子单方向输运。这种探测器从原理上讲可以不需要外加电场,从而没有暗电流噪声,这种探测器可以实现高...
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20096/9/200969143425.jpg)
硅基单片集成可重构光学上下路分插复用器获重要进展(图)
硅基单片集成 光学
2009/6/8
![](http://www.firstlight.cn/upload/imgfile/20089/16/200891692417.jpg)
我国首个ZnO纳米棒场效应晶体管研制成功(图)
ZnO纳米材料 晶体管
2008/9/12
近日,中科院微电子所依靠独立开发的全新技术,成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管。
ZnO是一种新型宽禁带多功能半导体材料。ZnO纳米材料(纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环等等)具有较常规体材料更为优越的性能,在传感、光、电等诸多领域有着广阔的应用前景,引起了国际学术界的极大关注。目前,国内的研究集中在材料生长和二极管器件制备方面。
中科院微电子所张海英研究员领导的课题组,使用...
3毫米波段InGaAs/InP双异质结双极型晶体管研制成功
毫米波频段 双极型晶体管
2008/8/5
中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)金智研究员领导的课题组成功研制出面向3毫米波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管。
毫米波频段是满足日益强烈的高精度探测及高速率数据通信要求的关键资源。继8毫米波段(26.5~40GHz)之后,3毫米波段(75~111GHz)成为世界各国高频技术竞争的制高点。基于固态半导体技术的毫米波单片集成电路(MMIC)由于具有体积小、重量...
美籍华人施敏院士来哈工大作报告
院士 微电子科学技术 半导体器件物理
2008/3/10
由哈尔滨工业大学科技处主办、由美籍华人施敏院士主讲的《闪存发展与应用》报告于2005年6月10日在邵馆二楼报告厅举行。施敏(Simon M. Sze)院士是微电子科学技术、半导体器件物理领域专家。