搜索结果: 46-60 共查到“知识要闻 半导体器件与技术”相关记录121条 . 查询时间(3.07 秒)
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”（Continuous Single-Crystall...
CIE第13期电子信息云讲堂将于2022年9月29日（本周四）19:30开播。本期云讲堂邀请清华大学任天令教授，浙江大学赵昱达研究员，围绕“新型半导体器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、期刊发展中心等联合承办。
二维磁性半导体Fe-SnS2同质结中大的不饱和磁电阻（图）
二维磁性半导 Fe-SnS2 磁电阻 凝聚态物理
2022/9/26
中国科学院半导体研究所魏钟鸣团队和北京大学廖志敏团队合作利用Fe原子掺杂的二维半导体材料SnS2 （Fe-SnS2）构建的同质结，研究了在该同质结器件中存在大的不饱和磁电阻效应。Fe-SnS2是一种掺杂磁性元素的二维磁性半导体，具有非常优异的稳定性，在空气中仍能稳定保持。通过低温输运测量表明，该同质结器件表现出完全不同于原始纯SnS2材料的抗磁特性。在平行磁场（磁场平行于样品平面）下磁电阻值高达1...
近日，东南大学张彤教授课题组基于前期报道的柔性衬底InP异质结双极型晶体管（InP DHBT）制备技术，提出了一种InP DHBT与柔性衬底之间的BCB键合优化工艺，基于该工艺获得了目前文献报道最高的截止频率fT = 358 GHz和振荡频率fMAX = 530 GHz。并且本文评估了两种不同BCB厚度下InP DHBT在柔性衬底上的热阻，测试了对应不同热阻下对器件直流和高频特性的影响。此外，本文...
中国半导体十大研究进展候选推荐——东南大学信息科学与工程学院赵涤燹和尤肖虎教授团队高线性度、超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片研究（图）
东南大学信息科学与工程学院 中国半导体十大研究进展 半导体 赵涤燹 尤肖虎 高线性度 超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片
2022/9/16
中国半导体十大研究进展候选推荐——东南大学信息科学与工程学院赵涤燹和尤肖虎教授团队高线性度、超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片研究。
近日，南方科技大学深港微电子学院陈全助理教授团队在STT-MRAM器件建模仿真领域与大规模模拟电路瞬态仿真方面取得一系列新的进展。针对MRAM工作时所涉及到电-磁-热物理过程及他们之间复杂的非线性耦合关系，首次提出一种高效的三维多物理耦合仿真框架及算法，并以此研究了器件尺寸变化对于器件性能的影响，相关成果发表于国际著名EDA期刊IEEE Transactions on Computer-Aided...
近日，南方科技大学深港微电子学院助理教授李毅达、林龙扬、周菲迟等课题组和南科大交叉研究院沈美研究助理教授和深圳江波龙电子股份有限公司合作完成，在金属氧化物半导体器件领域取得多项研究成果，包括源漏缺陷调控低温ALD ZnO 薄膜晶体管迁移率、HfO2钝化层改善ALD ZnO 薄膜晶体管稳定性以及基于氧化铪合金的高性能忆阻器（HfZrO、HfZnO RRAM）。相关成果分别发表在国际微电子期刊IEEE...
中国科学院半导体研究所新型感算器件研究获进展（图）
新型感算器件 冯诺依曼架构 半导体储能设备
2022/8/16
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型，在信息处理方面具有天然优势。目前，以忆阻器为代表的人工突触器件广泛应用于神经形态计算，并构建多种类型的神经网络。然而，传统的人工突触器件存储的权重固定，重新部署费时费力，无法根据...
宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展（图）
宽禁带半导体 氮化物薄膜 太阳电池 电子器件
2022/8/12
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同，纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点，沿c轴方向产生强烈的自发极化，对应于金属极性（III-polar）和氮极性...
中国科学院微电子研究所在三维存算一体芯片领域取得重要进展（图）
三维 存算一体 芯片
2022/7/29
随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：1）由于卷积神经网络权值数量不断增加，使得阻变存储器的面积开销越来越大；2）对于多值大规模阻变存储器阵列，当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂移而引起的误差累积更严重；3）三维阻变存储器阵列由于制造工艺难度更大，使得阻变单元与电路协同设...
26项电子元器件相关专利荣获第二十三届中国专利奖
电子元器件 专利 第二十三届 中国专利奖
2022/7/28
2022年7月26日，国家知识产权局发布《第二十三届中国专利奖获奖名单》，根据《中国专利奖评奖办法》，第二十三届中国专利奖共评选出中国专利金奖获奖项目30项，中国外观设计金奖获奖项目10项，中国专利银奖获奖项目60项，中国外观设计银奖获奖项目15项，中国专利优秀奖获奖项目791项，中国外观设计优秀奖获奖项目52项，其中有26项电子元器件相关专利进入获奖名单。
“光电子科技引领 半导体创‘芯’未来”系列科技成果展示之四 | 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化（图）
科技成果展示 高光效 长寿命 半导体照明 氮化物基发光二极管 核心器件
2022/7/20
氮化物基发光二极管（LED）是新一代半导体照明光源的核心器件，具有高效节能、绿色环保的特点，是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施，半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期，核心技术被欧美日企业垄断，芯片产品高度依赖进口。中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心与三安光电股份有限公司等9家公司，历时十余年联合技术创新，率先突...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
本期云讲堂邀请黎大兵、龙世兵、孙钱、蒋科围绕“宽禁带半导体光电材料与器件”展开分享。本次活动由中国电子学会学术交流中心、电子材料分会和《电子学报/CJE》编辑部联合承办。
近日，宜确半导体（苏州）有限公司与深港微电子学院签署合作协议，共同建立了“南科大深港微电子学院-宜确半导体联合实验室”。随着第三代半导体材料与器件的迅速发展，产业界已经掀起了应用研发热潮。宜确半导体（苏州）有限公司瞄准未来产业布局，携手深港微电子学院共同开展基于宽禁带材料的射频器件研发，以期突破现有技术瓶颈，开发出国际先进水平的射频前端通信芯片。深港微电子学院在这方面拥有长期的研究积累，联合实验室...