搜索结果: 1-6 共查到“辐射物理与技术 X射线辐照”相关记录6条 . 查询时间(0.081 秒)
本发明涉及用于晶片级器件辐射效应试验的X射线辐照测试设备，该设备是由X射线辐照装置、显微成像装置、探针台、冷却与空气循环装置、辐射测量装置、控制与测试分系统、框架、水平导轨、高压程控电源、X射线控制器、UNIDOS剂量仪、控制计算机、半导体参数测试仪、示波器和矩阵开关组成，该设备实现晶片级器件的辐照与在线辐射效应参数提取及实时监测；并实现辐照测试的一体化、操作的自动化，可显著提高辐照与测试的稳定性...
本发明涉及用于元器件电离辐照的X射线辐照方法，该方法涉及辐照装置是由X光管、准直器、限束板、低能散射滤片、电动三维平台、辐照平台、激光指示器、水循环进出口组成，该方法实现了X射线能量、剂量率连续可调、辐照束斑连续可调，且可以去除低能散射对辐照结果的影响，为元器件电离辐照提供较理想的条件。该方法将为元器件电离总剂量辐射效应研究及试验评估提供方便快捷、低成本的电离辐照条件，对提升电子元器件抗辐射加固的...
相变材料Ge2Sb2Te5的X射线辐照致变效应研究
同步辐射 Ge2Sb2Te5 X射线光电子能谱 化学键
2021/3/19
相变材料Ge2Sb2Te5由于其独特的光学和电学性质，在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用。在航空航天、安检扫描等一些特定环境中，X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能的变化，研究Ge2Sb2Te5在X射线辐照下的结构变化就非常必要。对Si衬底上50 nm厚的Ge2Sb2Te5薄膜材料采用X射线进行不同时间的照射，并利用高分辨率X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spec...
软X射线辐照LY12铝靶的汽化冲量计算研究
X射线 汽化冲量 热激波 数值模拟
2009/10/9
采用数值模拟方法对软X射线辐照LY12铝引起的汽化冲量进行了研究，提出了两种汽化冲量的计算方法，得到了汽化冲量随X射线初始能注量的变化规律。计算结果表明：对于1 keV软X射线，LY12铝的汽化冲量随着能注量的增大而线性增大。计算结果与一些经验公式的计算结果以及实验结果较为吻合。通过对∑miui和∑pg(t)Δt两种方法计算原理的分析和对各计算量的监控表明：两种方法均能较...
强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响
X射线 Si-SiO2界面 辐射损伤
2009/2/13
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了...