搜索结果: 1-10 共查到“材料科学 Ti-Si-N”相关记录10条 . 查询时间(0.118 秒)
熔体温度为2000℃的条件下,分别以2.5, 5, 10, 20, 50和100μm/s的抽拉速率对Nb-Ti-Si基超高温合金进行了有坩埚整体定向凝固.采用XRD, SEM和EDS等分析方法,研究了抽拉速率对定向凝固共晶组织及固/液界面形貌的影响,并分析了该合金的凝固过程. 结果表明:合金定向凝固组织主要由沿着试棒轴向排列的横截面呈花瓣状的共晶胞Eutectic I(Nbss/α(Nb,X)5S...
使用不同种类催化剂(NaF, NH4F, NH4Cl, NaBr和NaCl)经1250 ℃保温8 h扩散共渗, 在新型Nb-Ti-Si-Cr基超高温合金表面制备了Si-Zr-Y共渗层, 分析了各共渗层的结构及相组成, 并对其组织形成过程进行了讨论. 结果表明: 不同种类催化剂制备的共渗层由外至内均由(Nb, X)Si2(X表示元素Ti, Cr和Hf)外层, (Ti, Nb)5Si4过渡层及富Al,...
The structural study of Ti-Si-C alloys produced by mechanical alloying method
Metallic alloys Ti-Si-C alloy Mechanical alloying-84
2009/12/3
Purpose: The aim of this paper is to determine the influence of the alloying time and composition on the structure
of Ti-Si-C alloy.
Design/methodology/approach: The powders of the Ti-Si-C alloys we...
氧杂质致Ti-Si-N薄膜高硬度损失的机理
材料科学基础学科 纳米复合薄膜
2009/2/6
基于纳米复合Ti-Si-N薄膜硬度对界面相微结构及微尺度变化极为敏感的实验事实,定量表征了薄膜的硬度与氧杂质含量的关系. 结果表明, 与高纯度薄膜40-55 GPa高硬度比较,1%-1.5%的氧杂质含量导致薄膜的硬度下降到30 GPa左右.根据纳米晶界面原子模型和实验结果,氧杂质与纳米尺度界面交互作用所引发的微尺度缺陷是硬度下降的诱因,晶界面的氧杂质密度是薄膜高硬度损失程度的决定因素,单个纳米晶周...
PCVD法制备的Ti--Si--C--N纳米复合超硬薄膜的高温氧化行为
Ti-Si-C-N 纳米复合超硬薄膜 晶粒尺寸 抗氧
2008/12/10
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)方法在高速钢基体上沉积出新型Ti-Si-C-N超硬薄膜。用XRD、XPS、HRTEM等分析发现薄膜微观组成为纳米晶/非晶复合结构（nc-Ti(C, N)/a-Si3N4/a-C-C）或（nc-Ti(C, N)/h-Si3N4/a-Si3N4/a-C-C）。高温氧化实验结果发现：随Ti含量降低和Si含量增大，Ti-Si-C-N薄膜的抗氧化温度逐步提高。当...
新型Ti-Si-C-N纳米复合超硬薄膜的高温热稳定性
Ti-Si-C-N 晶粒尺寸 显微硬度
2008/12/9
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)方法在高速钢基体上沉积出新型Ti-Si-C-N超硬薄膜. Ti-Si-C-N薄膜为纳米晶/非晶复合结构(nc-Ti(C, N)/a-Si3N4/a-C-C), 当薄膜中Si和C含量较高时, Ti(C, N)转变为TiC, 晶粒尺寸减小到2-4 nm. 薄膜晶粒尺寸和硬度的高温热稳定性均随沉积态薄膜中的原始晶粒尺寸减小而提高, 当原始晶粒尺寸在8-10 ...
采用座滴法研究了Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｒ-（１４－２９）Ｔｉ（质量分数, ％, 下同）, 合金在Ｓｉ３Ｎ４陶瓷上的润湿行为, 结果表明, 在１４９３Ｋ, １０ｍｉｎ的真空加热条件下, 随着含Ｔｉ量的增加, 合金的润湿性逐渐改善, 含Ｔｉ量为２４％－２９％时合金的润湿角达到２７．３°, 微观分析表明, 钎料中的元素Ｃｒ向Ｎｉ-Ｆｅ-Ｃｒ-（２４－２９）Ｔｉ／Ｓｉ３Ｎ４界面区扩散和富集, 生成了复杂的Ｃｒ-Ｎ...
Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响
PCVD Ti-Si-N 相组成 临界载荷
2008/9/1
用工业型脉冲直流等离子体增强化池气相沉积(PCVD)设备, 在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti-Si-N三元薄膜, 研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响. 结果表明: 随N2流量增大, 膜层沉积速率及膜层中Si含量减少, 薄膜组织趋于致密, 膜层颗粒尺寸明显减小, 划痕法临界载荷和显微硬度显著增加, 硬度最高可达50 GPa以上. 研究发现, 对应N2流量, 薄膜相组成发生变化, 依次存在...
用脉冲直流等离子体增强化学气相沉积 (PCVD) 方法，在高速钢试样表面沉积出一种新型Ti-Si-C-N薄膜材料. 研究了不同SiCl4流量对薄膜成分、微观组织形貌以及薄膜晶体结构的影响. X射线衍射 (XRD)、X射线光电子能谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM) 和扫描电子显微镜 (SEM) 分析结果表明: Ti-Si-C-N薄膜是由Ti(C, N)/a-C/a-Si3N4组成的纳米复合结...