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近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队，在利用强场激光驱动单层MoS2的偶次谐波频移方面取得进展。相关研究成果以Frequency shift of even-order high harmonic generation in monolayer MoS2为题，发表在《光学快报》（Optics Express）上。
中国科学院物理研究所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用（图）
多层MoS2 外延晶圆 二维半导体
2022/6/16
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
最近，谭平恒研究组与北京大学刘开辉研究员、哈尔滨工业大学胡平安教授以及中国人民大学季威教授合作，以CVD生长和湿法转移的转角双层MoS2为模型，利用拉曼光谱和密度泛函理论计算对转角双层TMD材料中的声子性质进行了系统的研究，并获得了重大进展。他们根据实验成果，提出了moiré声子的概念。moiré声子是由于在转角双层MoS2中，moiré图案所产生的周期势场可以调控单层MoS2子系统中的声子模式，...