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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种含镓L沸石的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 镓 L沸石
2024/1/29
一种含镓L沸石的制备方法，将硅源、铝源、镓源、碱源和水按照一定的投料顺序和方法配制成初始反应混合物，其总的摩尔组成为K2O∶Al2O3∶Ga2O3∶SiO2∶H2O＝2～20∶0～1∶0.01～1∶6～18∶40～400，然后在密封的反应釜里水热条件下晶化，晶化温度为120～200℃，晶化时间为1～192小时。晶化产物经过滤、洗涤、烘干、焙烧得到镓部分或完全同晶取代铝的L沸石，产物具有规整的圆盘状...
本发明属于沸石晶体催化领域,具体的是涉及一种碳化硅陶瓷表面多孔沸石分子筛涂层材料及其制备方法。所述沸石分子筛涂层在多孔碳化硅陶瓷载体表面负载均匀,沸石分子筛涂层具有由沸石分子筛的微孔以及沸石晶体相互搭接形成的大孔组成的双重孔道结构。所述制备方法,预先在多孔碳化硅陶瓷表面涂覆一层沸石前躯体溶胶,正硅酸乙酯、四丙基氢氧化铵、去离子水之间的摩尔比为1∶0.1～1.0∶29；然后,在二次生长溶液中进行生长...
本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体为一种多孔碳化硅载体表面单层、b轴取向ZSM-5型沸石涂层材料及其制备方法。该结构催化剂以泡沫碳化硅或蜂窝结构碳化硅为载体,载体外表面有一层碳化硅颗粒搭接形成的多孔层,沸石涂层均匀生长于多孔层内。沸石涂层为单层结构,沸石晶体b轴垂直于碳化硅载体表面。该方法预先在碳化硅陶瓷表面原位生长一层晶种胶体,控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,实现...
本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构,如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性,实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长；控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率,沸...
中国科学院金属研究所专利：碳化硅陶瓷表面多孔拂石分子筛涂层材料及其制备方法
中国科学院化学研究所专利：一种合成沸石咪唑酯微纳骨架结构材料的方法
中国科学院化学研究所 专利 合成沸石咪唑酯 微纳骨架 结构材料
2023/7/24
中国科学院化学研究所专利：一种合成沸石咪唑酯微纳骨架结构材料的方法
一种小晶粒稀土-ZSM5/ZSM11共结晶沸石的合成方法，该方法以硅源、铝源、无机碱(或无机酸)、1，6-己二胺、稀土元素的盐、添加剂和去离子水为反应原料，先经60～98℃低温老化处理4～30h，再经160～195℃晶化15～70h，水热合成出小晶粒稀土-ZSM5/ZSM11共结晶沸石；合成出的产物既有ZSM-5又有ZSM-11分子筛的结构特征，其平均粒度小于500nm，其中ZSM-5分子筛占该共...