搜索结果: 1-4 共查到“核材料与工艺技术 D-T中子源”相关记录4条 . 查询时间(0.183 秒)
D-T中子源束斑尺寸测量技术及应用
D-T中子源 束斑尺寸测量 关联粒子成像 位置灵敏探测器
2020/12/20
D-T中子发生器作为高能中子源，已用于特种核材料的有源探测技术中，利用时间符合法可实现被测物体的多模式成像，而中子源束斑尺寸是影响成像位置分辨的一个重要的因素。因此，结合D-T反应的特点和实际应用环境，开发了n-α关联符合测量确定中子源束斑尺寸的方法。利用该方法对小型移动中子发生器的束斑尺寸进行了测量，获得的束斑尺寸为（2.8±0.9） mm，与用CCD相机直接观测得到的约3 mm的测量结果一致，...
中国散裂中子源反角白光中子束斑测量
中国散裂中子源 反角白光中子 飞行时间 核数据测量
2020/3/20
中国散裂中子源（CSNS）反角白光中子（Back-n）束斑品质是核数据测量和其他物理实验的基础。利用像增器脉冲选通特性和飞行时间法搭建了一套具有时间分辨能力的成像系统，其空间分辨小于1 mm，初步实现了束斑轮廓、尺寸和非均匀性等特性参数的测量和定量分析。在距散裂靶约55、75 m处测得束斑FWHM分别为55、63 mm，对应峰值强度约75%处束斑直径分别为50、60 mm，且束斑边缘陡峭，呈台阶状...
中国散裂中子源靶体研制
中国散裂中子源 靶体 钨靶片 遥控维护
2019/12/20
中国散裂中子源(CSNS)靶体选用钨为靶材、钽为包覆层，采用包套法结合热等静压扩散焊工艺制备了钽包覆钨靶片。经检测，钨钽界面结合良好，钽层与钨基体平均结合强度大于64.07 MPa。靶体将钨靶片分成厚度不等的11片，散热采用一进一出的并行流结构，利用CFD软件进行了模拟计算，钨靶片间冷却流道间隙为1.2 mm，100 kW满功率运行情况下靶体最高温度为182.3 ℃，冷却水温升为7.1 ℃。经过半...
利用示踪252Cf中子源的材料鉴别技术
中子源 无损检测 中子-伽马射线吸收测量 中子飞行时间技术
2010/4/19
本文叙述了利用252Cf裂变中子源结合飞行时间技术对包裹进行无损检测的可行性研究，通过联合测量中子和伽玛射线的吸收谱确定样品的平均原子序数，完成被测材料的鉴定。实验采用自发裂变的252Cf中子源作为白中子源和伽马射线源，用塑料闪烁探测器探测中子和伽马射线。通过LabVIEW程序控制步进电机运动并整合获取的实验数据，实现了待测样品断层扫描数据采集工作的自动化。在对闪烁探测器进行能量和时间刻度后，对几...