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中国科学院物理研究所Bi2Se3超薄膜中上下表面态间的屏蔽库仑耦合（图）
Bi2Se3超薄膜 耦合 拓扑绝缘体
2023/8/16
拓扑绝缘体由于具有受时间反演保护的拓扑表面态而展现出许多新奇的特性，如量子自旋霍尔效应、磁掺杂时的量子反常霍尔效应，以及在拓扑/铁磁异质结中的非局域磁阻尼贡献等。这种拓扑表面态通常寄宿在样品表面约几个纳米左右的深度中，因此具有较大表面占比的超薄膜是放大这些新奇特性的理想体系。然而随着厚度的减薄，薄膜上、下表面中的表面态将在空间上产生重合并相互耦合。之前的理论工作计算了典型的狄拉克拓扑材料Bi2Se...