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搜索结果: 1-11 共查到光学工程 钼相关记录11条 . 查询时间(0.138 秒)
近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”(NCFET)可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限,有望在极低电源电压下工作,从而降低功耗并保持高性能。同时,原子层厚度的二硫化钼(MoS2)免疫于短沟道效应,具有较高的迁移...
近日,材料科学领域的权威杂志《美国化学学会纳米》在线刊发了工学院材料科学与工程系张艳锋教授课题组的研究论文“Epitaxial Growth of Centimeter-Scale Single-Crystal MoS2 Monolayer on Au(111)”,报道了该课题组在厘米级MoS2单晶薄膜的可控制备和生长机理方面所取得的最新研究成果。继石墨烯之后,单层/少层半导体性过渡金属硫属化合物...
压电材料作为一种可以直接将外界力学信号转化成电学信号的材料,与场效应晶体管相结合可以实现外界应力对器件输运特性的调控。近日,中国科学院北京纳米能源与系统研究所研究员孙其君、中科院外籍院士王中林以及中科院物理研究所研究员张广宇的研究团队利用驻极体材料与二硫化钼场效应晶体管的结合实现了对器件的静态/动态双调控。赵静等研究人员利用驻极体材料(聚偏二氟乙烯-三氟乙烯,PVDF-TrFE)的压电-驻极体特性...
二维材料由于其超高的表体比、优异的电学性能、柔性透明等特性在湿度传感器领域显示了巨大的应用前景。这其中以二硫化钼为代表的过渡金属硫属化物由于其优异的电流开关比、迁移率等特性为其在电子学器件中的应用提供了可能。由于二硫化钼本身是一种n型半导体,因此当其表面吸附水分子时,相当于对其进行了p型掺杂,其电学性质会表现出相应的变化,利用这一原理可以用于感知外界水分子量变化的湿度传感器。现阶段对二硫化钼湿度传...
建立了正丁醇萃取稀盐酸溶解原子荧光光谱法间接测定中草药中钼的方法。基于As(Ⅴ)和钼酸铵在浓度为0.3mol·L-1硫酸介质中能形成砷钼杂多酸,且该杂多酸可以被有机试剂萃取,萃取后蒸干有机试剂,残渣用稀盐酸加以溶解,原子荧光光谱法间接测定钼的含量。在优化的实验条件下,钼的含量在0~15μg·L-1范围内呈良好的线性关系。方法的检出限是0.44μg·L-1,相对标准偏差1.1%。据此对中草药样品进行...
2011年3月22日,江苏峰峰钨钼制品股份有限公司吴勇本董事长、江苏省东台市科技局朱根林等一行来所访问。上海光机所李儒新所长、林尊琪院士、楼祺洪研究员、杭寅研究员、周军研究员等出席了接待。
高铬铸铁样品经微波消解,以氧化钇为内标,用电感耦合等离子体发射光谱法同时测定样品溶液中的铬、镍、铜、锰、磷、硅、钼和钛。分析了3种有证国家标准物质,测定值同证书值吻合,验证了方法的准确性。
通过晶体的吸收光谱和荧光光谱研究了Yb3+∶SrMoO4激光晶体的光谱性能。由吸收光谱得到晶体在976nm有最强吸收,该处的吸收截面为1.71×10-20cm2,吸收半峰宽为71nm。由荧光光谱得到晶体的发射峰在1021nm,发射谱带半峰宽为44nm。由倒易法计算了晶体的发射截面,计算得出晶体在1021nm处的发射截面为1.24×10-20cm2。通过拟合荧光寿命衰减曲线得到Yb3+∶SrMoO4...
具有晶体理论密度的高质量金属薄膜对于材料的高温高压状态方程研究十分重要。通过机械研磨抛光技术制备出厚度大于20 μm,均方根粗糙度小于100 nm,厚度一致性好于99%的钼膜。研究了工艺条件对薄膜表面形貌、厚度一致性与表面粗糙度等的影响。机械研磨抛光时,采用较小粒径的磨料和材质较软的研具,可以获得较高的表面质量。在研磨过程中,工件的边缘受到的磨料切削作用最强,采用工件在工装表面均匀分布的形式,薄膜...
钼铁中Mo、Si、Cu的X射线荧光光谱分析     Cu  Si  Mo  钼铁       2008/5/6
钼铁合金是冶炼结构钢等合金材料必不可少的添加剂,西宁特殊钢集团公司购置的钼铁需分析Mo、Si、 Cu等元素,用化学法分析步骤十分繁琐,为了便于分析,我们探索了用改造后的日本岛津VXQ-150A型X射线荧光光谱仪和最新DATA PROCESSING SYSTEM DP-210E软件,合理选择分析条件[1][2],对上述元素用粉末压片制样进行分析,分析结果准确且稳定。

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