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氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成,材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大,是国际半导体激光器领域研究的难点,受到了国内外的极...
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种紫外灯电离装置
中国科学院大连化学物理研究所 专利 紫外灯 电离装置
2024/1/29
中国科学院合肥物质科学研究院专利:单粒子气溶胶紫外荧光分析光学测量装置
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 单粒子 气溶胶 紫外荧光分析 光学测量
2023/12/13
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种真空紫外激光发生装置
中国科学院大连化学物理研究所 专利 真空 紫外激光 发生装置
2023/11/7
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种用于中性电喷雾紫外单光子电离源
中国科学院大连化学物理研究所 专利 中性电喷雾 紫外 单光子 电离源
2023/9/12
上海光机所在激光助力高抗紫外激光损伤熔石英元件制造方面取得进展(图)
紫外激光 熔石英元件 耦合
2023/8/8
2023年8月8日,中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心魏朝阳研究员团队基于CO2激光的缺陷表征与去除过程,实现了高抗紫外激光损伤熔石英元件制造。相关研究成果发表于Light: Advanced Manufacturing。