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氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以及紫外通信等领域有重要的应用前景。但由于GaN基紫外激光器基于大失配异质外延材料技术制备而成,材料缺陷多、掺杂难、量子阱发光效率低、器件损耗大,是国际半导体激光器领域研究的难点,受到了国内外的极...
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种真空紫外激光发生装置
中国科学院大连化学物理研究所 专利 真空 紫外激光 发生装置
2023/11/7
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种深紫外激光拉曼光谱仪
中国科学院大连化学物理研究所 专利 深紫外 激光 拉曼光谱仪
2023/9/27
上海光机所在激光助力高抗紫外激光损伤熔石英元件制造方面取得进展(图)
紫外激光 熔石英元件 耦合
2023/8/8
2023年8月8日,中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学制造与检测中心魏朝阳研究员团队基于CO2激光的缺陷表征与去除过程,实现了高抗紫外激光损伤熔石英元件制造。相关研究成果发表于Light: Advanced Manufacturing。
半导体所集成光电子学国家重点实验室赵德刚研究员团队研制出氮化镓(GaN)基大功率紫外激光器,室温连续输出功率2W,电注入激射波长384 nm。这是赵德刚研究员团队在实现波长小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要进展。
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队获得了脉冲能量91mJ、脉宽470ps的355nm激光脉冲,三倍频转换效率高达76%,这是目前已知的重频皮秒固态激光器中实现的最高三倍频转换效率,相关成果发表于《高功率激光科学与工程》(High Power Laser Science and Engineering)。高功率紫外激光在激光预处理、微纳加工、量子光学和非线性光学...
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室发表了最新的研究成果,通过构建纳秒强激光诱导光致发光谱在线探测装置,对KDP类晶体在强激光作用下瞬态缺陷形成过程进行了分析和研究,相关研究成果在线发表于《光学与激光技术》(Optics & Laser Technology)。
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与美国新墨西哥大学合作,基于可调谐纳米叠层的思想设计紫外激光反射薄膜,实现了具有高反射率、宽带宽和高激光损伤阈值的355nm激光反射薄膜。相关研究成果在线发表在[Light: Science & Applications 9, 20, 2020]。 激光装置输出功率的不断提升对激光薄膜的要求不断提高。理想的紫外激光反射薄膜需要同时具有高的反射率、...
近日,由我所傅强研究员和包信和院士承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目(二期)”子项目“基于可调谐深紫外激光光源的近常压光发射电子显微镜(AP-PEEM)的研制”顺利通过中科院条件保障与财务局主持的现场技术测试验收。该项目利用我国自主研制的可调谐深紫外激光光源作为激发光源,通过分级光电子加速电压和多级真空差抽的全新设计,实现近常压条件下(mbar)的PEEM成像。