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搜索结果: 1-15 共查到光学工程 中红外相关记录88条 . 查询时间(0.337 秒)
近期,中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所孙敦陆研究员课题组在2.7~3微米波段中红外晶体制备及激光性能研究方面取得一系列新进展,相关研究成果分别以《Ho,Pr:YAP晶体的热学、光谱及~3微米连续激光性能》、《Er:YGGAG晶体的结构、光谱与激光性能》和《LD侧面泵浦YSGG/Er:YSGG/YSGG晶体实现28.02瓦的2.8微米连续激光》为题发表在光学领域国际知名期刊Opti...
中国科学院大连化学物理研究所专利:基于光源调制技术的近中红外激光波段透过率测量系统
来自奥地利、美国和瑞士的科学家组成的国际科研团队,研制出了首个中红外波长范围超级反射镜,有望用于测量微量温室气体或用于切割和焊接的工业激光器等领域。研究论文发表于最新一期《自然·通讯》杂志。
中国科学院合肥物质科学研究院专利:光纤型3-5微米连续波差频产生中红外激光光源及其实现方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利:高效抗辐射中红外激光晶体Re,Er:GSGG及其制备方法
中国科学院西安光学精密机械研究所专利:一种高集成超高分辨率中红外双光梳光谱测量装置与方法
2022年11月25日,中科院合肥研究院健康所医用激光技术实验室江海河研究员课题组与中电科集团合作,在中红外波段声光调Q技术研究方面取得重要进展:首次实现了铌酸锂 (LiNbO3) 晶体声光开关及其在2.79 μm Er,Cr:YSGG激光器中的高效率调Q输出。相关成果已在国际光学期刊Optics Letters上发表。
III-V族化合物半导体在移动设备、无线通信和光电子等领域具有重要应用,本报告将介绍课题组近年来在III-V族半导体高速探测器领域的进展。针对不同的应用场景,报告人将主要汇报零偏压下工作的850nm波段高速GaAs探测器、1550nm波段InGaAs/InP单载流子传输高速/高功率探测器以及利用InGaAs/GaAsSb二类超晶格和InAs/GaSb二类超晶格实现的2um波段和中红外高速探测器的进...
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后,在锗锡光电器件方面取得的又一重要成果。
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是研究团队在锗锡材料外延生长取得突破之后,在锗锡光电器件方面取得的又一重要进展。
半导体所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是研究团队在锗锡材料外延生长取得突破之后,在锗锡光电器件方面取得的又一重要进展。
近日,中国科学院合肥物质科学研究院安光所研究员张为俊团队在腔增强吸收光谱OH自由基探测技术方面取得进展,相关研究成果以《基于中红外分布反馈二极管激光器的光学反馈腔增强吸收光谱技术应用于OH自由基探测》为题发表在美国光学学会(OSA)学术期刊Optics Express上。
等离激元是极化激元的一种,它是由入射光激发的沿材料表面传播的光子和电子混合谐振的电磁模式,也是纳米光子学材料中存在的一种独特的物理现象。它能够突破衍射极限,从而有望实现纳米级片内互联。与传统的金、银等金属材料相比,新型二维材料石墨烯具有单原子层的厚度、狄拉克电子特性和高载流子迁移率的特点,其支持的等离激元具有更高的波长压缩比和静电可调的优势,因此成为近年来研究的热点。自2011年首次实验观测以来,...

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