搜索结果: 1-7 共查到“核科学技术 质子辐照”相关记录7条 . 查询时间(0.147 秒)
质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
RADFETs 质子辐照 γ剂量标定 陷阱电荷分离
2022/1/15
针对辐射敏感晶体管（RadiationSensitiveField-EffectTransistors，RADFETs）在地面标定使用60Coγ射线源而实际空间应用时存在的质子电子辐射环境的差异性问题，进行了10MeV质子和60Coγ射线的对比辐照与协和辐照试验。采用中带电压法（Mid-gapTechnique，MGT）和电荷泵法（ChargePumping，CP）对器件辐照过程中的氧化物陷阱电荷...
150 keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响
GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命
2019/11/20
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失，导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能，其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象，制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池，以150 keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明，150 keV质子辐照后电池的量子效率衰减，且基区衰减...
低能质子辐照对ZnO白漆光学性能退化的影响
质子辐照 ZnO白漆 光学性能退化 氧空位
2009/8/24
通过光致荧光光谱解谱和X射线光电子能谱（XPS）分析，研究了ZnO白漆经受能量低于200 keV低能质子辐照过程中氧空位缺陷的形成与演化过程。XPS解析表明质子辐照后晶格氧减少，光致荧光光谱解析表明锌空位减少，说明ZnO白漆中氧空位数量增加，且双电离氧空位能够捕获价带中的电子转变为单电离氧空位，使单电离氧空位逐渐成为辐照产生的主要缺陷。质子辐照使ZnO白漆中氧空位数量增加，而氧空位易捕获电子形成色...
C276合金质子辐照损伤模拟及活化分析
C276 TRIM程序 活化
2009/7/10
C276合金是先进核电站燃料元件包壳的候选材料之一。本工作采用TRIM程序分别计算10和20MeV质子辐照C276所产生的辐照损伤，比较分析能损、离位原子、DPA等参数分布。同时使用FISPACT-2007程序进行活化计算，对放射性活度、衰变余热及接触剂量率等参数进行了详细分析。结果表明：辐照损伤主要来自电子能损的贡献，高能质子与靶原子发生碰撞的几率较低。C276经同种能量质子辐照后，活化特性随...
电荷耦合器件质子辐照效应研究
静电加速器 质子辐照效应 电荷耦合器件
2009/1/3
利用2×6 MV串列静电加速器提供的1～10 MeV质子，开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量，研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统，建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试验方法，分析了质子注量、质子能量、器件偏置等对器件电荷转移效率和暗电流的影响。模拟试验结果表明，电荷转移效率随辐照质子注量的增加而下降，暗电流随辐照质子注量的增加而增大，在1～10 MeV...