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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种锂硫电池正极的制作方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 锂硫电池 正极
2024/1/22
本发明涉及一种锂硫电池制作方法，将单质硫与碳材料共混，得到硫碳混合物与粘结剂共混后加入分散剂，搅拌或球磨1～10h，制作成浆料或膏状物后经过涂覆、压制、喷涂或溅射到集流体上，干燥制得的极片在真空环境下先加热至50～80℃，通入保护气N2或Ar气稳定在一个大气压下，将温度升至100～200℃，恒定保持1～10h制备而成。该制备方法弥补了现有技术制作的正极结构的不足，使之能够为中间产物的溶解及离子、电...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：薄膜太阳能电池的制作方法及系统
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 薄膜太阳能电池 制作方法
2023/11/20
中国科学院深圳先进技术研究院专利：薄膜太阳能电池的制作方法及系统
中国科学院高能物理研究所专利：硅光电池纳米织构化P-N结结构及其制作方法
中国科学院高能物理研究所专利：一种硅纳米柱阵列光电池的选择性栅极及其制作方法
硅片太阳电池制作方法
制作方法 硅片 太阳电池
2008/10/17
该发明技术公开了太阳能应用领域一种硅片太阳能电池制作方法，本发明按生产过程依次为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结的制作；电感偶合等离子（ICP）刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。铝浆小窗口处印刷采用银铝浆，保证了小窗口也同样获得铝背场的结构，并且实现了铝浆小窗口处的三价铝对五价磷的补偿作用，同时本发明也对烧穿氮化硅薄膜工艺中的硅电池...
一种太阳能电池制作方法
太阳能电池 制作方法 半导体PN结
2008/10/13
项目研制了太阳能应用领域一种太阳能电池制作方法，按生产过程依次为如下六个步骤：前道化学预处理；半导体PN结的制作；电感偶合等离子（ICP）刻蚀周边；淀积氮化硅薄膜；丝网印刷正、背面电极；正、背面电极金属化及氮化硅薄膜烧穿。铝浆小窗口处印刷采用银铝浆，保证了小窗口也同样获得铝背场的结构，并且实现了铝浆小窗口处的三价铝对五价磷的补偿作用，同时本发明也对烧穿氮化硅薄膜工艺中的硅电池正面PN结结深作了进一...