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搜索结果: 1-6 共查到材料科学 载流子相关记录6条 . 查询时间(0.092 秒)
近日,中国科学院大连化学物理研究所研究员袁开军和副研究员隋来志团队通过第一性原理计算发现,施加压缩应变能够使钙钛矿材料Cs2SnBr6载流子迁移率提高一个数量级。相关成果发表在Materials Today Physics上。
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心教授赵瑾、副教授郑奇靖,在自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD中实现了针对动量空间载流子动力学实时演化的第一性原理计算方法。相关研究成果以Ab initio Real-Time Quantum Dynamics of Charge Carriers in Momentum Space为题,发表在《自然-计算科学》...
中国科学技术大学王亮教授和韩正甫教授课题组研发的InGaAs单行载流子探测器芯片取得重大进展。该研究团队通过设计优化表面等离激元结构,开发成功低暗计数、高响应度、高带宽的单行载流子探测器芯片,为近红外探测器性能提升提供了开创性的方法,相关研究成果以“Plasmonic Resonance Enhanced Low Dark Current and High-Speed InP/InGaAs Uni...
目前,纳米材料已经被日益广泛地应用在电子、光电、生物电子、传感以及能源等领域的各种器件中。因此,理解和表征纳米材料的电学性能不仅是基础科学研究的兴趣所在,也是实现其广泛实用化的迫切需求。但是,传统的场效应晶体管(field-effect transistor, FET)方法在纳米材料电学性能的表征中遭遇到器件制备过程复杂、材料-电极欧姆接触不易实现以及检测通量较低等问题。
制备了结构为ITO/MoO3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP:GIR1(14%)(x)/CBP:R-4B(6%)(30-x)/BCP(10 nm)/AlQ(40 nm)/LiF(1 nm)/AL(100 nm)的绿红磷光器件。通过调节红绿发光层的相对厚度,对器件的发光性能进行了研究。结果表明:x为15 nm,电压为6 V,电流密度为255.6 mA/cm2,得到...
近日,哈尔滨工业大学材料学院甄良教授课题组在二维二硫化钼(MoS2)纳米片功函数及载流子浓度调控研究方面取得进展,研究成果论文《通过自组装单分子层控制MoS2 纳米片的载流子》(Carrier Control of MoS2 Nanoflakes by Functional Self-Assembled Monolayers)发表于国际著名期刊《美国化学会·纳米》(ACS Nano,影响因子12....

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