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飞秒激光与生物分子材料在信息海量存储中的应用技术研究。
中国仪器仪表学会检验检测检疫仪器应用技术分会(简称分会)经民政部批准,于2007年9月18日正式成立,挂靠单位为中国检验检疫科学研究院。目前,学会拥有高级会员56名,团体会员28个。
工程电磁场及应用技术研究部下设两个研究组:工程电磁场智能探测与成像技术课题组、电机电磁场课题组。主要研究方向:多物理场能量转换、调控、智能探测与成像技术。目前承担国家自然科学重点基金,国家自然科学基金委重大科学仪器研制,科技部重点研发计划、北京市自然科学基金、中科院重大科研仪器研制等项目,以及电网公司科技项目多项。
针对国家发展生物质高效多途利用技术的重大需要和秸秆生物质炭绿色制备的瓶颈问题,李坤权教授团队长期致力于生物质炭可控转化与高值产品技术研发,提出了基于生物质自热烘干气碳化联合循环系统的“高值生物炭定向合成与功能可控”的工程化发展理念,突破了秸秆基吸附催化双功能纳米生物炭高值产品氮磷调控关键工艺和核心技术,设计了秸秆生物炭智能化连续化绿色生产核心装备,研制了基于功能秸秆炭材料的环境净化、土壤提质、智能...
2018年10月26-28日,“2018年X射线计算机断层扫描应用技术研讨会” 在东南大学九龙湖校区举行。共有来自重庆大学、华南理工大学、哈尔滨工业大学、南昌航空大学、西安石油大学等高校,中科院化工材料所、金属所、高能所、电工研究所、岩土力学所、上海博物馆等56家科研单位和企业的170名专家学者和学生参加会议。会议由中国机械工程学会无损检测分会主办,东南大学材料科学与工程学院、江苏省土木工程材料重...
2018年4月13日,人社部办公厅发布《关于印发专业技术人才知识更新工程2018年高级研修项目计划的通知》,南昌研究院“纳米碳材料及其在新能源领域的应用技术”项目成功入选。高级研修项目是培养造就高素质专业技术人才队伍的重要平台,是提升专业技术人才能力的重要抓手。南昌研究院此次研修班的主题是纳米碳材料及其在新能源领域的应用技术,主要围绕碳纳米管、石墨烯、锂电池、超级电容器等领域的应用技术,同时邀请国...
2017年10月24-25日,由我校和中国电子元件行业协会磁性材料与器件分会联合主办、我校磁电功能材料研究所和浙江省磁性材料行业协会联合承办的中国电子元件行业协会磁性材料与器件分会年会·浙江省磁性材料行业协会年会暨2017中国磁性材料及应用技术论坛在存中楼报告厅举行。中科院都有为院士、我校副校长陈建孟、中国电子元件行业协会理事长何时金出席会议,来自国内外知名高校和中国科学院的专家学者、包括十多家上...
2016年11月19日,由山东煤矿安全监察局、山东省科学院、中煤科工集团沈阳研究院、国家安监总局“矿山安全光纤检测研发平台”等单位联合举办的“光纤传感与安全物联网应用技术研讨会”在济南召开。此次会议是依照国家安全科技“十三五”规划部署,按照国家安全生产监督管理总局关于依靠科技兴安、机械化换人、自动化减人的发展要求和国家煤监局关于煤矿安全监控系统升级的规划要求,结合山东省煤矿存在自然发火严重隐患的安...
为了确保 CCD 应用技术实验的顺利进行,保障人身安全,避免设备损坏, 并且达到实验目的, 要求学员必须严格遵守实验规则, 在指导教师的指导下有秩序、按步骤地进行实验。
在院科技发展基金的支持下,对微波波段光子带隙(Photonic Bandgap,PBG)结构在天线中的应用进行了深入研究。掌握了光子带隙结构基本理论,分析了频率带隙产生原理与频带关系,并对高阻抗表面结构带隙计算公式进行了修正;掌握了多种类型光子带隙结构的设计、实验方法,并提出新颖的结构形式,提高了原有光子带隙结构的特性;利用光子带隙结构的加载,使传统天线在效率、增益上获得了提高,天线尺寸进一步小型...
2011年9月21日,上海市科学技术委员会主持召开了由上海市激光技术研究所承担的四个应用技术开发项目验收会,项目涉及激光精细加工、激光参数检测、半导体照明工程等领域。
2011年5月18日,由中国电子商会主办、江苏省光伏产业协会承办、日本欧南芭株式会社协办的2011中日光伏发展应用技术研讨会在江苏省无锡市召开。此次会议的召开旨在为了贯彻国家光伏产业政策,使企业更多地了解国内外光伏产业及新产品应用发展状况,推动我国光伏产业稳步快速发展。
为促进LED显示技术及相关产品的交流,总结经验,进一步扩大其应用和市场,引导产业规模健康发展,现初步拟定,将于2010年4月在武汉市举办“2010全国LED显示应用技术交流及产业发展研讨会”。这是中国光学光电子行业协会主办的第三次全国范围的大型研讨会。这次会议旨在为从事LED显示及其相关产品领域的技术开发、教学研究、生产工程、市场营销及经营管理等方面工作的单位和人员提供技术交流、加强联系、开展产业...
该项目又名“1.9-2.1μm中红外AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器MBE材料”,主要成果有:用固态源分子束外延方法生长出达器件质量的1.9-2.1μm中红外AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料和AlGaAsSb/InGaAsSb PIN探测器材料;发展了自主知识产权的AlGaAsSb、InGaAsSb、GaSb材料的两种腐蚀液体系;研制出中红外脊波导AlGaAsSb/I...

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