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本发明涉及一种高电位梯度二氧化锡压敏电阻材料及制备方法,该材料各组分是由SnO2?、Co2O3、Nb2O5、Pr6O11和Y2O3制成,采用高能球磨技术,通过在SnO2中添加稀土氧化物Co2O3、Nb2O5、Pr6O11、Y2O3,优化材料配比,在高温下烧结,提高了二氧化锡压敏电阻材料的电位梯度,降低了漏电流密度,明显改善了其电学性能。本发明所述方法获得的二氧化锡压敏电阻产品具有电学性能好,致密度...
本发明涉及一种性能优良的二氧化锡压敏电阻复合粉体材料及其制备方法,该粉体材料各组分是由SnO2、Co2O3、Bi2O3、Pr2O3和Y2O3制成,采用化学共沉淀方法,以五水乙醇作为有机溶剂,以聚乙二醇为分散剂,加入四氯化锡、三氯化铋、三氯化钴、硝酸镨和硝酸钇,在恒温水浴环境下,溶解成透明溶液,用氨水溶液为沉淀剂匀速滴加到透明溶液中,经沉淀、过滤、洗涤、干燥、研磨、煅烧后得到纳米氧化锡压敏电阻复合粉...
本发明涉及一种高能高电位梯度型二氧化锡压敏电阻复合粉体及制备方法,该复合材料各组分是由SnO2,Co2O3,TiO2,Sb2O5,Nb2O5,Pr6O11,Y2O3制成,采用在亚微米级的二氧化锡粉末中掺入二氧化钛、五氧化二锑、三氧化二钴、五氧化二铌、十一氧化六镨、三氧化二钇,其中,十一氧化六镨和三氧化二钇作为电位梯度增强剂,二氧化钛和五氧化二锑均为单分散的纳米级颗粒,纳米五氧化二锑在烧结过程中可与...
本发明涉及一种纳米二氧化锡压敏电阻复合粉体材料,该材料是由二氧化锡、三氧化二铋、三氧化二锑和三氧化二钇制成,采用强制微观混合方法,以胶体磨为反应容器,通过成核/生长隔离方法制备高性能纳米二氧化锡复合粉体。制备性能优良的纳米氧化锡复合粉体是获得高性能高压压敏电阻器的关键。成核/生长隔离制备采用强制微观混合技术,将盐溶液与碱溶液在反应器转子与定子之间的缝隙处迅速充分混合,从而使材料具有粒子尺寸小和分布...
本发明涉及一种纳米氧化锌压敏电阻复合粉体材料及其制备方法,该材料各组分是由ZnO、Co2O3、Bi2O3、Sb2O3和Y2O3制成,采用化学共沉淀方法,以稀盐酸作为溶剂,加入二氯化锌、三氯化铋、氯化钴、三氯化锑和六水氯化钇,在恒温水浴环境下,溶解成透明溶液,用氨水溶液为沉淀剂匀速滴加到透明溶液中,经沉淀、过滤、洗涤、干燥、研磨、煅烧后得到纳米氧化锌压敏电阻复合粉体材料。制备性能优良的纳米氧化锌复合...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:纳米级tio*加入zno压敏电阻配方中的方法
摘要 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900~1200℃, 保温时间从20min~2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9~3....
文章摘要: 研究了Pb3O4对(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数, 下同)时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760. 这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏...

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