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一个基于平均N面体模型的晶粒长大速率方程
晶粒长大 平均N面体模型 拓扑学
2009/10/10
基于Glicksman近期提出的平均N面体模型(ANHs), 研究了拓扑分组下晶粒表面积的变化规律, 导出了一个可由简单数学关系式近似表示的具有拓扑依赖性的晶粒长大速率方程. 速率方程显示晶粒的表面积变化速率与其面数的平方根近似成线性关系.
晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响
金刚石膜 电学特性 晶粒尺寸 HFCVD
2007/12/18
摘要 通过改变生长参数，采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜，并制作了三明治结构的光电导探测器。采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌：表面粗糙度从423nm变化到15nm；晶粒越大，金刚石膜的质量越好。I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小，金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm。在5.9 keV的55Fe X射线...
胶溶-水热晶化过程中纳米TiO2晶粒聚集机理及形貌的研究
纳米
2007/12/13
摘要 通过XRD、SEM和动态光散射粒度测定仪(DLS)研究了胶溶及水热晶化过程中纳米TiO2晶粒聚集行为及形貌. 实验结果表明, 在胶溶无定形沉淀过程中所形成的大小为10~15nm的锐钛矿(A)型胶粒或金红石(R)型胶粒(初级粒子)易定向聚集成更大的、具有(30~50)nm×(80~100)nm的次级晶粒. 含有次级晶粒的溶胶前驱液在水热晶化过程中, 次级晶粒发生崩裂并生长成结晶度更高的大小约为...
微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长
2007/12/12
摘要 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900～1200℃, 保温时间从20min～2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9～3....