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众所周知,面心立方(FCC)晶体循环形变行为的广泛研究起始于1956年Thompson对铜晶体中滑移带“驻留”(PSB)现象的发现。上世纪50年代到70年代,大量研究工作集中于揭示驻留滑移带的力学及结构特性,包括硬度、位错分布、体积分数、两相模型等等。基于这些早期的研究工作,Mughrabi于1978年建立了著名的单滑移取向铜单晶体的循环应力-应变(CSS)曲线,这是第一次定量化地将FCC晶体的宏...
采用电子通道衬度技术对垂直晶界Cu双晶在疲劳过程中位错组态的演化与裂纹的形核进行了研究.结果表明, 形变带中墙结构的间距从形成之初到疲劳裂纹出现始终保持恒定;穿晶裂纹与沿晶裂纹尖端的位错组态均为胞结构;裂纹优先从形变带产生.
对孪晶铜进行塑性应变幅控制下的疲劳实验, 研究了不同宽度的孪晶内疲劳位错组态及演化过程. 结果表明, 孪晶宽度不同时,孪晶内的疲劳位错组态不同. 当孪晶宽度大于1um时, 孪晶内疲劳位错组态与单晶中情况类似;孪晶宽度介于1um到200 nm之间时, 位错形成类PSBs结构;孪晶宽度介于200 nm到20 nm之间时, 孪晶内只能形成一些位错碎片;孪晶宽度小于20 nm时, 孪晶内没有稳定的晶格位错...
文章摘要: 对晶粒组元因晶体生长时沿晶界发生旋转的铜双晶体进行了恒定塑性应变幅下的循环形变研究,塑性应变幅为1.5×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度技术(SEM-ECC)对滑移形貌和位错组态的演化进行了观察,发现由于晶粒内部的几何效应使沿晶界的位错组态随着晶粒的旋转方向的变化也相应发生变化,逐渐表现为由滑移带与晶界的相互作用过渡到形变带与晶界的相互作用.形变带Ⅱ(DB...
文章摘要: 采用逐级增幅方法研究了[001]同轴铜三晶体及一种非同轴取向平行三晶交线铜三晶体的循环形变行为,并观察了三晶交点和晶界附近的位错组态. 为了对比,也研究了两种取向三晶体的组元晶粒双晶体和单晶体试样的循环形变行为.对于[001]同轴取向平行三晶交线三晶体及其组元双晶体和单晶体,其循环硬化曲线几乎重合, 其循环饱和应力应变曲线(CSSC)也相差不大,...
利用TEM研究了单晶镍基合金平行于应力轴的(100)晶面拉伸蠕变初期的位错组态,表明:形变特征是位错在γ相八面体滑移系中运动.在基体通道中,1/2<110>型位错运动相遇,发生反应而增殖;由于(100)晶面的基体通道受压应力,位错运动阻力大,密度小,位错运动多以交滑移和Orowan弓入方式进行;当受拉应力通道中弓出的位错环经交滑移进入压应力通道后,入口两侧被打扎,位错可定向弓入成为形貌类似于双端F...

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