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当前,基于边缘智能计算设备运行的人工智能应用日趋复杂和高精度。为降低边缘设备运行的延迟和功耗,存算一体技术被应用在边缘设备端,通过减小数据搬运的开销最大化减少边缘设备上的延迟与功耗。而传统的存算一体宏仅支持使用整数型数据计算,难以支持日趋高精度、高复杂度以及片上训练的边缘端智能计算任务。仅使用单一模拟或数字方案的存算一体宏,难以在能量效率、面积效率和精度上取得最优化。如何有效结合模拟存算与数字存算...
杭州电子科技大学微电子研究院科研成果2023年论文。
阻变存储器(RRAM)因其高速、低功耗和可扩展性而被广泛用于实现边缘计算加速器。但由于RRAM存在保持特性退化的问题,导致基于RRAM芯片上的网络推理准确率随时间的增大而降低,从而限制了基于RRAM的边缘计算加速器的运算精度。
为解决现代计算系统中(如云计算和人工智能)的“内存墙”带宽局限、高效计算瓶颈和制造工艺尺寸微缩等问题,一种结合新型非晶态氧化铟镓锌(IGZO)薄膜材料的无电容(2T0C)DRAM结构,有望取代传统1T1C DRAM成为关键性的新兴技术路线。目前,大量研究工作集中于通过器件结构和工艺优化来提升IGZO 3D DRAM的保留时间和操作速度,但现有IGZO TFTs器件普遍存在性能均一性及阈值调控难题,...
2023年8月24日,国家自然科学基金委员会公布了本年度集中申报期项目的评审结果。华南理工大学微电子学院易翔教授获得重点项目立项资助,陈荣盛教授、徐金旭副教授获得面上项目立项资助,秦培副教授、周陶杰副教授获得青年科学基金立项资助。本次青年基金项目获资助率达33%,面上项目获资助率达50%,所有项目获资助率超40%,共获得立项经费378万元。我院国自然基金申报立项数和立项经费均创历史新高!
随着人工智能和物联网的兴起,数据呈现爆炸式增长。研发具有更快访问速度和更高存储密度的存储器成为必然。阻变存储器因具有简单两端结构易于三维集成、极好的可微缩性、速度快以及低功耗等优势受到广泛关注。
中国科学院微电子研究所专利:太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所专利:制热型MEMS热电堆红外探测器结构及其制备方法
中国科学院微电子研究所专利:一种双面微透镜阵列及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利:利用平行光测量衬底反射率和透射率的宽光谱光学量测系统
中国科学院微电子研究所专利:一种原位光学检测装置
中国科学院微电子研究所专利:一种全时测量PV组件功率特性的装置
中国科学院微电子研究所专利:一种测量PV组件功率特性的装置
中国科学院微电子研究所专利:一种液晶滤波方法、液晶滤波器和空间滤波系统
中国科学院微电子研究所专利:一种制备表面等离子体激元纳米光子器件的方法

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