搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 铁电”相关记录40条 . 查询时间(0.341 秒)
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/12
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/2/29
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展（图）
芯片 集成 微电子
2024/1/11
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流；二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加，因此需要高密度的存储器；三是存储器和随机源的分离，导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 电子器件
2023/8/22
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技...
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
2023/8/15
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
中国科学院物理研究所在“非铁电性”单层二维材料中发现铁电性（图）
非铁电性 二维材料 晶体结构 光电子学
2023/5/26
铁电性是一种由电偶极矩自发排列导致的集体极化效应，并且其极化状态可被外部电场翻转。铁电场效应晶体管被认为是下一代非易失性存储器的理想候选者，具有无损读取和快速重复写入的优势，其非易失性功能通过铁电层的双稳态极化来实现。传统铁电材料多为三维钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3, PbTiO3和BiFeO3等，它们通常为带隙大且迁移率低的绝缘体，难以与现有的硅基半导体器件相兼容。近年来，二维范德瓦尔斯铁...
ABO3钙钛矿由于丰富的A、B位离子组合方式以及BO6八面体灵活多变的畸变方式（包括不同程度的倾斜、旋转、伸缩等），展示了各种各样的晶体结构与物理性质，是半个多世纪以来凝聚态物理和材料科学的重要研究对象。对于外层电子为3d3的过渡金属离子，因其半满的t2g轨道分布（接近球对称），具有这种电子分布的钙钛矿材料（譬如R3+Cr3+O3，R3+代表稀土离子），其BO6八面体畸变往往很小。特别是相比于具有...
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展（图）
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内...
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，其受到静电场屏蔽效应大大减弱，利用门电压可以对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，这使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在...
中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展（图）
二维铁电Rashba 半导体材料
2022/10/24
2022年10月24日，中国科大杨金龙教授课题组胡伟团队在二维铁电Rashba材料领域取得进展，研究成果以题为“High-Throughput Inverse Design for 2D Ferroelectric Rashba Semiconductors”发表在Journal of the American Chemical Society上。
中国科学技术大学在二维铁电体光伏效应研究中取得进展（图）
中国科学技术大学 二维铁电体光伏效应
2021/10/9
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心曾华凌教授课题组和中科院量子信息重点实验室郭光灿院士团队龚明教授课题组在二维铁电体光伏效应研究中取得新的进展。该联合研究组在室温二维铁电材料CuInP2S6中观察到了显著增强的体光伏现象，并研究了该现象的维度过渡行为，确定了其临界厚度，这些结果为理解空间反演对称破缺体系中电极化主导的光电转换机制提供了重要的实验证据。相关研究成果于10月8日以“E...
华中科技大学物理学院吴梦昊教授受邀介绍铁电研究的百年历史（图）
华中科技大学物理学院 吴梦昊 铁电
2021/10/9
2021年9月20日，《自然》(Nature)杂志子刊《自然评论：物理》(Nature Reviews Physics)发表了华中科技大学物理学院吴梦昊教授撰写的论文“百年铁电(100 years of ferroelectricity)”。此文是应副编辑Ankita Anirban博士邀请，回顾了铁电研究的百年历史。
科学家揭示铁电体材料小漩涡奥秘（图）
科学家 铁电体 材料 小漩涡奥秘
2021/4/15
我们这个高速的世界不断需要新方式处理和存储信息。几十年来，半导体和磁性材料一直是数据存储设备的主要组成部分。然而，近年来，研究人员和工程师转向了铁电材料，这是一种可以用电操纵的晶体。2016年，由于科学家发现了铁电体结构中的极涡（本质上是螺旋形原子群），铁电体研究变得更加有趣。现在，由美国能源部阿贡国家实验室领导的一组研究人员，发现了这些漩涡行为的新见解，这些见解可能是将它们用于快速、通用的数据处...
2020年7月23日，IEEE UFFC学会（电气和电子工程师协会超声、铁电与频率控制分会）公布了2020年度铁电青年学者奖，西安交通大学电信学部电子陶瓷与器件教育部重点实验室李飞当选本年度“IEEE UFFC铁电青年学者（IEEE UFFC Ferroelectrics Young Investigator Award）”，以表彰其在弛豫铁电单晶与陶瓷研究工作中的卓越贡献。李飞也是该奖项设立15...
复旦大学微电子学院江安全课题组研制出具有产业化前景的高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管（图）
复旦大学微电子学院 江安全 产业化前景 高密度 存算一体化 非易失性 铁电单晶畴壁 存储器 晶体管
2020/6/17
近期，复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器，采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合（图1），存储介质无缺陷、晶界和空洞等，突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前，相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...