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中国科学院太赫兹固态技术重点实验室
太赫兹技术 半导体 光谱检测
2021/8/4
太赫兹技术是一个非常重要的交叉前沿领域,对现代科学技术发展、国民经济和国防建设具有重要意义。实验室依托单位上海微系统所进行太赫兹研究始于上世纪90年代,是国内最早开展太赫兹固态技术研究的单位之一,在国内外同行中具有重要影响。2010年12月,中国科学院太赫兹固态技术重点实验室获得中国科学院院长办公会批准,经过近10年发展已成为国内太赫兹/毫米波技术研究的重要基地。
近日,南方科技大学材料科学与工程系副教授李贵新课题组和以色列特拉维夫大学教授Tal Ellenbogen课题组等在基于几何相位(Pancharatnam-Berry Phase)的非线性超构表面太赫兹辐射源领域取得新进展,相关成果以“Functional THz Emitters based on Pancharatnam-Berry Phase Nonlinear Metasurfaces”为题...
近期,中科院合肥研究院强磁场中心盛志高研究团队与固体所和上海科技大学科研人员合作,发明了一种基于强关联氧化物材料的太赫兹宽带可调吸收器。相关研究成果发表在ACS Applied Materials & Interfaces期刊上。太赫兹吸收器在太赫兹电磁屏蔽,太赫兹成像和太赫兹热敏探测等领域具有广泛的应用前景,因而吸引了大量研发注意力。瞄准未来关键领域的应用,要求吸收器不仅要有较高的吸收率,较大的...
2017年4月6日上午,由国家自然科学基金委组织、我校陆亚林教授承担的国家重大科研仪器研制项目“太赫兹近场高通量材料物性测试系统”项目启动会在我校召开。启动会后,联席召开了管理工作组和监理组会议。
理论研究了掺镱飞秒激光激发<110>晶向的电光晶体太赫兹(THz)的产生与探测,根据相位匹配条件,在声子共振频率以下分别计算了厚度为0.1 mm的CdTe,GaP,GaAs三种晶体的光学色散与THz波段色散关系、THz波段的吸收频谱、相干长度以及THz发射与探测频谱. 结果表明,CdTe的THz最佳发射频率为2.65 THz,而对于GaAs和GaP,THz最佳发射频率分别达到6.56和4.77 T...
超材料制成高定向太赫兹激光器
超材料 高定向太赫兹激光器
2010/8/10
美国哈佛大学和英国利兹大学的一个联合研究小组最近演示了一种新型太赫兹半导体激光器,其发射的太赫兹光波准直性能与传统太赫兹光源相比显著改善。该激光器的研发成功,为太赫兹科技的应用打开了更广阔的领域。哈佛已经为此提交了一系列专利申请。这一进展发布在2010年8月8日的《自然·材料》杂志上。新型太赫兹激光器突破了传统材料的限制,研究人员刻了一组亚波长光栅,直接加倍了超材料晶面的光流量,设备以3太赫兹(百...
“太赫兹科学技术的新发展”香山会议在京召开
太赫兹 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 激光器 功能材料
2005/11/30
2005年11月22—24日在北京香山饭店召开了以“太赫兹科学技术的新发展”为主题的第270次香山会议。中国科学院上海微系统与信息技术研究所封松林研究员与刘盛纲院士、姚建铨院士以及张杰院士共同主持了这次会议。上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室的曹俊诚研究员做了题为“太赫兹量子级联激光器及其它重要半导体源”的主题邀请报告。