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热丝化学气相沉积大面积金刚石膜温度场的模拟计算
热丝化学沉积 金刚石膜 温度场
2008/10/10
对热丝化学气相沉积(HFCVD)生长金刚石膜过程中影响衬底温度场的热丝几何参数及其他相关沉积参数进行了模拟计算.结果表明,通过优化参数,用80 mm×80 mm的热丝阵列可以获得76 mm×76 mm面积的均匀衬底温度区,进一步利用辅助热丝则可将均温区面积扩大到100 mm×100 mm.这些结果可以为沉积高质量、大面积金刚石膜的工艺参数提供理论依据.
热丝化学气相沉积金刚石薄膜空间场的数值分析
热丝化学气相沉积 耦合模型 空间场
2008/8/4
根据热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜的几何特点和工艺参数, 建立了该系统的二维温度场、速度场和密度场的耦合模型。利用该模型对沉积大面积金刚石薄膜的空间场进行了模拟计算, 研究了沉积参数对空间场的影响。结果表明, 衬底处的温度分布和质量流密度的计算值与实测值相吻合。只有气体进口速度对质量流密度的均匀性影响最大, 其它沉积参数对衬底温度的均匀性、质量流密度的均匀性影响不大。 从热丝阵列的最低温...
热丝CVD大面积金刚石薄膜的生长动力学研究
热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 动力学生长 模拟计算
2008/2/28
摘要在传统工业型热丝化学气相沉积（HFCVD）反应腔内，相关工艺参数取模拟计算优化值的条件下，采用XRD，SEM及Raman光谱等分析手段研究了单晶Si(100)上较大面积金刚石薄膜的动力学生长行为，讨论了晶格取向的变化规律。结果表明：优化工艺参数条件下，在模拟计算的衬底温度和气体温度分布均匀的区域内，沉积的金刚石薄膜虽存在一定的内应力，但整体薄膜连续、均匀，几何晶形良好，质量较高，生长速率达1....
工艺条件对热丝 CVD金刚石薄膜电学性能的影响
2007/12/13
摘要 采用不同的沉积条件, 通过HFCVD方法制备了四种不同质量、不同取向的CVD金刚石薄膜. 讨论了薄膜退火前后的介电性能. 研究了不同沉积条件和退火工艺与介电性能之间的联系. 通过扫描电镜SEM、Raman光谱、XRD、I-V特性曲线以及阻抗分析仪表征CVD金刚石薄膜的特性. 结果表明, 退火工艺减少了薄膜吸附的氢杂质, 改善了薄膜质量. 获得的高质量CVD金刚石薄膜具有好的电学性能, 在50...