搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 器件物理”相关记录42条 . 查询时间(0.129 秒)
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展（图）
微电子所 半导体器件 物理领域
2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展（图）
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
2023/5/9
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
中国科学院微电子研究所在器件物理领域取得重要进展（图）
中国科学院微电子研究所 器件物理 三维半导体材料
2020/9/25
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生了许多独特的现象，使其得到广泛的应用。针对此现象，微电子所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士和李泠研究员的科研团队与中科院...
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室已经完成课题。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2006年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2007年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2008年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2009年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2010年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2011年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2012年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2013年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2014年发表文章。
北京大学电子学系物理电子学研究所纳米器件物理与化学教育部重点实验室2015年发表文章。