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“
电子科学与技术 器件结构
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中国科学院微电子研究所专利:逆导IGBT
器件结构
及制造方法
中国科学院微电子研究所
专利
逆导
IGBT器件结构
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利:逆导IGBT
器件结构
及制造方法
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中国科学院微电子研究所专利:采用金属硅化物的功率半导体
器件结构
及制备方法
中国科学院微电子研究所
专利
金属硅化物
功率半导体器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利:采用金属硅化物的功率半导体
器件结构
及制备方法
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文献传递
中国科学院微电子研究所专利:钝化半导体接触表面的功率半导体
器件结构
及制备方法
中国科学院微电子研究所
专利
钝化
半导体
接触表面
功率半导体器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利:钝化半导体接触表面的功率半导体
器件结构
及制备方法
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中国科学院微电子研究所专利:半导体
器件结构
及其制造方法
中国科学院微电子研究所
专利
半导体器件
结构
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利:半导体
器件结构
及其制造方法
存档文本
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文献传递
中国科学院微电子研究所专利:半导体
器件结构
及其制作方法
中国科学院微电子研究所
专利
半导体器件结构
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利:半导体
器件结构
及其制作方法
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