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N+离子注入诱变选育耐酸性α-淀粉酶高产菌株
枯草芽孢杆菌 耐酸性中温α-淀粉酶 离子注入
2010/5/28
本工作研究低能N+离子注入中温α淀粉酶产生菌BF7658的诱变方法。经不同注量的N+离子注入实验后，得出N+离子最佳注量为1×1016 cm-2，并筛选获得1株耐酸性α淀粉酶产量较高的枯草芽孢杆菌突变株。该突变株所产α淀粉酶的酶活可达207 U/mL，遗传稳定性较好。
N离子注入对Ti—Al—Zr合金耐蚀性影响研究
Ti-Al-Zr合金 N离子注入 相结构 耐蚀性
2009/11/30
经完全退火处理的Ti-Al-Zr合金表面注入不同剂量的N离子，并在pH值为10的溶液中进行电化学腐蚀试验。结果表明，N离子注入后，试样表面首先形成具有四方结构的ε-Ti2N，随着离子注入剂量的增加，四方结构的ε-Ti2N逐渐向立方结构的σ-TiN转变，X射线光电子能谱的分析结果也证实了这一变化过程；N离子的注入能明显改善Ti-Al-Zr合金表面的耐腐蚀性能，且在注入8×10^16 ion／cm^2...
为获得中性蛋白酶高产菌株，选用低能（30keV）N+离子束以不同剂量注入中性蛋白酶，产生菌枯草芽孢杆菌（Bacillussubtilis）AS1.398，研究其诱变效应，菌株存活率曲线为典型的“马鞍型”剂量效应曲线，且在马鞍形区域内具有较高的正突变率。经多次筛选，获得一株稳定高产突变株ZC-12，突变株产中性蛋白酶活力为初始菌株的1.84倍。通过对PCR扩增诱变前后两菌株编码中性蛋白酶基因的D...
铀表面离子注入碳改性层抗腐蚀性研究
抗腐蚀 碳 铀表面离子
2009/2/7
研究了碳在铀表面注入、梯度注入、反冲注入及离子束辅助沉积改性工艺。采用俄歇电子谱仪（AES）分析碳改性层沿深度方向的成分分布；采用X射线衍射仪（XRD）分析改性层的结构；通过动电位极化曲线、极限湿热腐蚀实验，比较腐蚀前后样品表面的形貌变化，对改性层抗腐蚀机理进行探索。研究结果表明：几种改性工艺均实现了碳离子在铀表面的注入或沉积，碳离子注入可在铀的表面形成碳化铀；45keV能量辅助轰击沉积碳、50...
用As离子注入法生成Nb（As）超导膜实验研究
转变温度Tc 迭加扣谱法
2009/1/12
用150keV的As离子大剂量注入到铌膜上,在一定条件下制备了超导膜。其超导转变温度为 6.6 K。注入层的厚度约 67 nm,用迭代扣普法求得了此层中的砷浓度分布,得到了Nb与As原子浓度的比值为2.2。此样品是富铌的Nb(As)超导膜,其超导转变温度比理想的Ti_3P结构的Nb_3As(Tc=0.3 K)高 6.3 K。
离子注入与α辐射对氧化铝热释光的作用
Al_2O_3 热释光 年龄测定 镍离子注入
2008/12/25
利用Al2 O3晶体的热释光特征比较了镍离子注入与α辐射在晶体中的作用。进一步证明了α辐射对Al2 Ο3晶体的作用以离子取代为主。
离子注入碳对铀抗腐蚀性能影响的研究
离子注入 贫铀 抗蚀性
2008/12/25
利用离子注入技术分别用单能量和多能量叠加注入方式在铀表面注入碳形成表面改性层，并对改性层的形貌、注入元素的分布和相结构分别进行扫描电镜（SEM）、俄歇电子能谱（AES）及表面相结构衍射谱（XRD）分析，利用电化学极化法测试注入样品的抗腐蚀性能。结果表明：离子注入碳能够提高铀表面抗腐蚀的能力。
离子注入PIN电流型探测器
PIN电流型探测器 离子注入
2008/12/17
本文叙述了离子注入PIN电流型探测器的制备,并对一些问题进行了讨论。探测器指标:在300伏反向偏压下漏电流一般小于10微安,好的可小于3微安;工作状态下线性输出电流大于2安;φ20毫米的样品上升时间小于8毫微秒,φ8样品上升时间可达3毫微秒。在使用中得到了较好的结果。
离子注入在核辐射探测器中的应用
核辐射探测器 离子注入
2008/12/17
半导体的离子注入,就是使杂质元素(如硼,磷,砷)的离子,在加速电压的作用下达到5～100千电子伏的能量,对半导体衬底进行轰击,以得到所需要的杂质浓度的方法。 离子束在半导体领域内的应用早已发现,而且一直在进行研究。1948年首先报道了用离子束使半导体电导类型转变的实验;1952年发表了用各种不同的气体离子轰击硅表面可