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GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管
GaN 垒层厚度 InGaN/GaN量子阱 双蓝光波长
2013/7/25
针对单蓝光波长芯片与Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉封装白光发光二极管存在显色性不足的问题, 提出了采用双蓝光波长芯片激发Y3Al5O12:Ce3+黄光荧光粉实现高显色性白光发射法, 并分析了其可行性. 利用金属有机化学气相沉积系统在(0001)蓝宝石衬底上顺序生长两个In0.18Ga0.82N/GaN量子阱和两个In0.12Ga0.88N/GaN量子阱的双蓝光波长发光二极管, 并对不同GaN...