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D-T脉冲中子发生器随钻中子孔隙度测井的蒙特卡罗模拟
D-T脉冲中子发生器 241Am-Be 中子源 随钻测井 中子孔隙度测井 蒙特卡罗模拟
2009/8/15
利用蒙特卡罗方法模拟研究了D-T脉冲中子发生器和241Am-Be中子源产生的中子与地层的作用过程,以探讨D-T脉冲中子发生器在随钻中子孔隙度测井中的应用价值。模拟结果显示,使用这两种中子源,热中子计数均随源距增加而呈指数下降;孔隙度较小时,两者的计数差异较小,当地层孔隙度达到40%时,D-T脉冲中子发生器产生的热中子和超热中子计数均比241Am-Be中子源高很多,其分布范围也更宽,近探测器的源距选...