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本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
中国科学院上海应用物理研究所专利：一种直接在疏水基底上实施蘸笔纳米刻蚀技术的方法
中国科学院微电子研究所专利：高K栅介质/金属栅叠层栅结构刻蚀后聚合物去除方法
中国科学院微电子研究所专利：氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
中国科学院国家纳米科学中心 专利 低频 BOSCH 深硅刻蚀
2023/6/14
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种低频BOSCH深硅刻蚀方法
中国科学院物理研究所专利：一种用于芯片制造的刻蚀与沉积-剥离融合方法
西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践课件第八章 光刻与刻蚀工艺（3）。
西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践课件第八章 光刻与刻蚀工艺（2）。
西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践课件第八章 光刻与刻蚀工艺（1）。
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
2009/6/5
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体，采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除．研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响，指出当气体混合比约为20%时，刻蚀速率达到最大值．锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明，在SF6和SF6+Ar气体中，被刻蚀后样品的Pb含量大大减少，TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的...
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
选择性刻蚀 选择比 刻蚀损伤
2009/5/27
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体，研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小，随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大，却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降，从而提高了GaN与Al0.27...
高密度集成电路刻蚀引线框架
集成电路 引线框架 大规模集成电路工艺
2008/10/30
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标：“高密度集成电路刻蚀引线框架”是用化学蚀刻法制造的，其特点是线条细、间距小、制作周期短、符合大规模IC框架多品种、小批量的要求，解决用模具无法制作的困难。关键技术有侧向腐蚀的控制技术和高精度制版技术。技术经济指标：①IC框架线条宽度最小0.16毫米，节距最小0.36毫米。②高密度IC刻蚀引线框架制作技术达国内领先水平。③72L-160L产品已用于大规模及特...