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“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”荣获中国电子学会科学技术奖二等奖(图)
28纳米 先导工艺 集成电路 可制造性 设计关键技术与应用 中国电子学会 科学技术奖 二等奖
2019/5/5
在4月20—21日召开的第十四届中国电子信息技术年会上,微电子所 “28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目荣获中国电子学会科学技术奖二等奖。“28纳米及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用”项目由EDA中心陈岚研究员领衔的先进集成电路设计及EDA技术团队完成,团队面向国际发展前沿和国家重大需求,以集成电路设计重大应用问题为牵引,系统深入的研究了芯片设计与工艺协同的技术,C...