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采用射频溅射法, 在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品, 对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析. 结果表明, 在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能, 与无磁场沉积态相比, 样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m, 在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%. GMI效应与磁导率比的大小密...
纳米晶软磁合金薄膜的性质和巨磁阻抗效应（图）
纳米晶 软磁合金薄膜 巨磁阻抗效应
2009/2/2
巨磁阻抗(简称GMI) 效应是1992年由日本毛利佳年雄等人发现的，由于它具有灵敏度高、响应快、无磁滞、温度稳定性好等优点，受到了国际上的广泛关注。本项目研究了纳米晶软磁合金薄膜和多层膜中的GMI效应及其起源。由于纳米晶软磁合金所具有的优异的软磁特性，因此得到了高灵敏度的GMI效应，这克服了在薄膜中不易得到高灵敏度的GMI效应和使用频率过高的缺点。在纳米晶薄膜和多层膜中系统研究GMI效应这在国际上...
FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应
巨磁阻抗效应 磁畴结构 软磁合金 薄膜
2008/11/5
用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜, 经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料, 磁畴结构观察表明, 样品中心为均匀的细条畴靠近边缘, 磁畴方向转向横向, 这种畴结构有利于磁力线的闭合, 是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一, 磁阻抗测量表明, 样品在１３ＭＨＺ的频率下, 分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.
Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应
巨磁阻抗效应 非晶态软磁合金薄带
2008/10/30
研究了Ｃｏ-Ｆｅ-Ｎｉ-Ｎｂ-Ｓｉ-Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应. 样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性, 并表现出优良的ＧＭＩ效应. 在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下, 获得了最大的ＧＭＩ效应, 磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％. 在低频下得到了显著的巨磁电感效应, 在１００ｋＨｚ下, 磁电感比达到７６９％.
Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应
磁性薄膜 巨磁阻抗 趋肤效应
2008/10/22
用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.
采用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了
(Fe88Zr7B5) 0.97Cu0.03非晶软磁合金薄膜样品,
对沉积态样品的软磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应进行了实验研究与机理分析．
结果表明, 未掺Cu元素的Fe88Zr7B5沉积态合金薄膜几乎无
GMI效应, 而掺了适量Cu元素的(Fe88Zr7B5) 0.97Cu0.03
合金薄膜在沉积态下即具有显著的GMI效应．在13 MHz频率下,...
用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分...