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晶格对称性是电介质材料最重要的内秉性质之一，然而晶格对称性在电介质材料和异质结器件的广泛应用中却常常被忽略。近日，南京大学现代工程与应用科学学院袁洪涛教授团队与合作者们，寻找到一种各向异性的电介质材料并提出将晶格对称性匹配作为一种调控电介质/半导体异质结界面对称性破缺和界面物理性质的方法。通过堆叠具有不同旋转对称性的电介质和半导体材料，使得界面处的对称性与各材料系统的本征晶格对称性不同，在原本各向...
中国科学院微电子研究所专利：一种分子尺度界面SiO2的形成和控制方法
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料，在其已经实现大规模产业化应用的今天，氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义，日久弥新。近期，中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心科研团队合作，在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。为解决上述学术争议提供了直接证据，澄清了氮化物生长...
南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授联合多伦多大学吕正红院士课题组发表关于钙钛矿光电子器件表界面研究进展的重要综述性文章（图）
南方科技大学深港微电子学院 于洪宇 多伦多大学 吕正红 钙钛矿光电子器件 表界面
2021/6/23
近日，南方科技大学深港微电子学院于洪宇教授课题组与加拿大多伦多大学吕正红教授（南方科技大学和云南大学访问教授）课题组合作，系统总结了光电子器件中钙钛矿半导体表界面的原子排列、缺陷态以及能带结构，并首次拓展讨论了基于界面间隙态理论的能级排列基本物理和关键方程，最后结合当前研究进展提出适用于钙钛矿异质结钝化的能带构型，相关成果以“Recent Progress on Perovskite Surfac...
日前，北京理工大学前沿交叉科学研究院黄佳琦特别研究员和中国科学院物理研究所李泓研究员、清华大学化工系张强教授合作研究在电子/离子混合导体界面设计用以保护金属锂负极方面取得重要进展。该研究通过化学液相法在锂电极的表面构筑混合的离子导体和电子导体双连通界面来实现电池高效利用和长续航寿命，开拓了人工界面层保护电极的新思路和新方法。相关研究成果2018年9月27日在线发表于《先进材料》（Advanced ...
中国科学院化学研究所电子给受体界面结构及电子转移反应研究获进展（图）
有机半导体材料 电极间界面 电子转移
2014/3/12
有机半导体材料因具有来源广泛、结构灵活可调、易于大面积化、柔韧性好等优点，近年来引起了工业界和学术界极大的关注。作为薄膜器件，有机半导体材料在应用中大多为固体薄膜状态，器件的性能不仅取决于有机分子本身的结构和性质，与有机分子与电极之间的界面结构及物理化学特性也密切相关。研究有机分子在电极表面的堆积模式，揭示有机分子与电极之间的界面电荷转移机制，探索有机分子与电极间界面的结构与性能的联系，对有机半导...
利用扫描电镜和EDS能谱分析研究了Al-Al,Au-Al和Au-Ag超声键合横界面和纵切面的微观结构特性及其变化,分析了键合界面结构随超声功率和作用时间变化的规律。研究结果表明:超声键合界面的形状特性像一个中央未结合的椭圆,皱脊周边产生键合,其键合强度取决于激烈起皱的周边和未结合的中央面;当作用力和功率固定时,随着时间的增加,键合区向中央延伸;当作用力和作用时间固定时,随功率的增加,焊接区里皱脊面...
受主型界面态在深亚微米槽栅PMOSFET中引起退化的研究
槽栅PMOSFET 界面态密度 阈值电压
2009/4/23
界面态引起的器件特性的退化是深亚微米器件失效的一个重要因素。本文基于流体动力学能量输运模型,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面PMOSFET中受主型界面态引起的器件特性的退比进行了分析。研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件,且P型受主型界面态密度对器件特性的影响也远大于N型界面态。沟道杂质浓度不同,界面态引起的器件特性的退化不同。